초록

본연구 개발의 내용과 범위를 아래와 같이 요약할 수 있다.1. 전구체 화합물의 합성을 위한 출발 물질의 선정2. 전구체 화합물의 합성3. 합성된 전구체를 이용한 박막의 시험 제조4. 제조된 박막의 분석

Abstract

The contents of this research are summarized as follows.1. Selection of starting materials for the synthesis of precursors2. Synthesis of precursors3. Preparation of films using the precursors4. Characterization of the films

목차 Contents

• 제 1 장 서론...15
• 제 2 장 전구체의 선정 및 합성...17
• 제 1 절 서설...17
• 제 2 절 합성 실험...18
• 1. 시약 및 기기...18
• 2. 합성...19
• 제 3 장 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 박막의 제조...23
• 제 1 절 서설...23
• 제 2 절 AIN 박막의 화학 증착...24
• 1. AIN 박막의 제조 및 분석...24
• 2. 논의...29
• 제 3 절 AIN 전구체의 비교 분석...32
• 1. 비교 대상 전구체의 선정...32
• 2. AIN 전구체의 특성 비교 실험...32
• 3. 결과 및 논의...34
• 제 4 장 결론...45
• 참고 문헌...47
• 표지...49
• 요약문...51
• 목차...55
• 제 1장 서론...59
• 제 1절 Gallium Nitride Epitaxy의 개요...59
• 제 2절 기판재료...61
• 제 3절 Biffer layer도입...64
• 제 4절 Gallium Nitride Epitaxy의 제조방법...65
• 제 2장 Gallium Nitride Reaction의 Mechanism연구...69
• 제 1절 개 요...69
• 제 2절 실 험...69
• 제 3절 결과 및 고찰...72
• 제 4절 결 어...94
• 제 3장 LCVD실험...97
• 제 1절 개 요...97
• 제 2절 주요실험장비...99
• 제 3절 실험방법...104
• 제 4절 분석장비...106
• 제 4장 결과 및 고찰...109
• 제 1절 LCVD에 의한 GaN Epitaxy성장...109
• 제 2절 Stoichiometric Deposition...111
• 제 3절 Morphology...113
• 제 4절 결정구조...116
• 제 5절 전기적 성질...118
• 제 5장 결론...121
• 제 6장 금후의 연구과제...123
• 제 1절 기관 및 반응물의 Laser Activation 에 의한 CVD...123
• 제 2절 Pulsed Laser Ablation에 의한 CVD...125
• 제 3절 Photoluminescence(PL)측정...127
• 제 4절 반응속도론적 연구...129
• 참고문헌...131