초록 ▼

Ⅰ. 제목
차세대 정보저장용 자성박막 기술
II. 연구개발의 목적 및 중요성
다가오는 21세기는 정보화의 세기라고 할 정도로 정보화가 매우 급속히 진전될 것이며, 정보산업이 핵심산업이 될 것으로 전망되고 있다. 본 연구와 관련된 정보저장 기술은 정보처리, 정보통신 및 정보표시 기술과 함께 정보산업의 핵심기술 분야이다. 현재 정보저장에 이용되는 기술로는 자기기록, 반도체기록 및 광기록 등이 있다. 자기기록은 반도체기록에 비해 가격이나 저장용량 면에서 월등히 우수하고, 광기록에 비해서는 정보 입출력 속도와 저장용량

Ⅰ. 제목
차세대 정보저장용 자성박막 기술
II. 연구개발의 목적 및 중요성
다가오는 21세기는 정보화의 세기라고 할 정도로 정보화가 매우 급속히 진전될 것이며, 정보산업이 핵심산업이 될 것으로 전망되고 있다. 본 연구와 관련된 정보저장 기술은 정보처리, 정보통신 및 정보표시 기술과 함께 정보산업의 핵심기술 분야이다. 현재 정보저장에 이용되는 기술로는 자기기록, 반도체기록 및 광기록 등이 있다. 자기기록은 반도체기록에 비해 가격이나 저장용량 면에서 월등히 우수하고, 광기록에 비해서는 정보 입출력 속도와 저장용량 면에서 우위에 있어 현재 정보저장의 3대 기술 중에서 가장 널리 사용되고 있다. 특히 컴퓨터의 외부기억장치로는 독보적인 위치를 점하고 있다. 이 자기기록 기술은 크게 자기헤드 기술, 자기기록매체 기술, 트라이볼로지(tribology) 기술 및 서보(servo) 기술 등의 분야로 분류할 수 있는데, 본 연구의 대상은 前者의 2가지 기술, 즉 자기헤드 및 자기기록매체용 자성박막 기술이다. 이 기술들은 차세대 정보저장에서 가장 중요한 요소인 초고밀도 기록을 달성하기 위한 핵심 원천기술이다. 자기기록 방식을 이용한 정보저장 기술은 현재 컴퓨터를 비롯하여, 비디오, 오디오, 디지털 카메라 등에 매우 광범위하게 사용되고 있으며, 향후에는 디지털 TV의 프로그램 저장 및 재생, 홈 멀티미디어 서버, 의료용 영상을 비롯하여 컴퓨터 기능이 포함된 개인 휴대통신 기기에 이르기까지 그 응용범위가 크게 확장되어 정보산업 전반에 걸쳐 이 자기기록 기술이 미치는 영향은 지대할 것으로 전망되고 있다. 이와같이 자기정보저장 기술은 정보산업에서의 핵심기술로서 이미 확고한 기반을 점하고 있으며, 정보산업이 발달할수록 급격하게 증대되는 정보량에 대응하기 위해 대용량 및 초고속의 자기정보저장 장치에 대한 요구는 더욱 확대될 것으로 판단된다. 이 자기기록 기술 분야는 기술의 발전속도가 매우 빠르고 관련제품도 기술주도형이기 때문에 이러한 기술동향에 효과적으로 대응하기 위해서는 계속적으로 새로운 기술을 개발하는 것이 매우 중요하다. 최근 자기정보저장장치의 대용량화 및 소형화에 따라 자기기록이 급속히 고밀도화되고 있으며 따라서 이에 대응할 수 있는 새로운 자기기록 기술이 요구되고 있다. 자기정보저장 장치에서 기록밀도 향상에 가장 크고 직접적으로 영향을 미치는 핵심기술이 바로 자기헤드 및 자기기록매체용 자성박막 기술이다. 자기헤드 및 자기기록매체용 신 자성박막 기술의 개발을 통한 자기기록의 고밀도화는 자기정보저장 장치의 대용량화 및 소형화를 가능하게 할 것이며 자기기록의 응용 범위 및 산업적 중요성을 크게 증대시키게 될 것이다. 이와같이 정보저장용 자성박막 기술은 정보화 시대에 효율적으로 대응할 수 있는 정보저장 산업, 나아가 정보산업 전반의 발전에 필요한 핵심기술로서 그 파급효과가 매우 크기 때문에 각국이 앞다투어 이 분야에 대한 기술경쟁에 범국가적으로 총력을 기울이고 있다.
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
차세대 정보저장용 자성박막 기술을 개발하기 위한 본 연구의 제1단계 연구목표는 다음과 같다.
o 40 Gb/in2 급 기록밀도에 대응할 수 있는 자성박막의 개발
- 시물레이션에 의한 자기기록매체의 특성평가 기술 개발
- 포화자속밀도 18 kG 이상인 연자성 박막기술 개발
- 자기저항비가 10% 이상인 스핀밸브형 거대자기저항 박막기술 개발
- CoCrPt계 고보자력 수평자기기록매체용 박막기술 개발
- FePt계 수직자기기록매체용 박막기술 개발
상기의 연구목표를 달성하기 위하여 제1단계에 수행된 연구내용 및 범위는 다음과 같다.
1. 시물레이션에 의한 자기헤드 설계 및 자기기록 특성 평가 연구
① 마이크로 마그네틱 시물레이션에 의한 고밀도 자기기록 기술 연구
2. 기록헤드용 고포화자속밀도의 Fe계 연자성 박막기술 연구
① 고포화자속밀도 FeXN(X; Hf, Ti)계 연자성 박막기술 연구
② 연자성 박막의 부식특성 향상기술 연구
3. 재생헤드용 거대자기저항 박막 제조기술 연구
① Specular & Dual 스핀밸브 거대자기저항 박막기술 연구
② 교환 바이어스 자기장 향상 기술 연구
4. 수평자기기록매체용 CoCrPt계 자성박막 제조기술 연구
① CrTi 중간층 삽입에 따른 자기기록매체의 자기적 특성 변화 연구
5. 수직자기기록매체용 FePt계 자성박막 제조기술 연구
① 저온 산화 열처리된 고보자력 FePt 자성박막 기술 연구
② 낮은 Pt 함량의 고보자력 FePt 자성박막 기술 연구
Ⅳ. 연구개발 결과
1. 기록연속된 수평매체를 사용하는 자기기록기술의 밀도를 증가시키기 위한 노력의 하나로서, LLG 방정식에 근거한 컴퓨터 시물레이션 계산을 수행하였다. 가장 특징적인 사항은 높은 기록자계를 발생시킬수 있는 planar형 기록 헤드와 2790 ∼ 13010 Oe 사이의 광범위한 보자력을 가지는 매체를 사용하였다는 것이다. 넓은 보자력 범위를 가진 매체에서 최적 기록 자계의 크기는 매체의 보자력 보다 3400 Oe 이상임을 관찰하였다. 즉 Hw-Hc=3400 Oe (여기서 Hw는 최적 기록 자계이고 Hc는 매체의 보자력임)의 관계가 얻어졌다. 이러한 새로운 관계식은 기록 가능한 매체의 보자력을 매우 크게 증가시키며 나아가서 이는 고기록 밀도를 달성하는데 근본적인 문제로 알려진 열안정성 문제를 획기적으로 개선한 것을 의미한다. 본 연구에서 planar 형 헤드를 사용하여 11 kOe의 이상의 매우 큰 보자력을 가진 매체에 기록이 가능함을 보였다. 구체적으로 11720 Oe의 보자력을 가진 매체에 605 kfci의 bit 밀도로 기록하였을 때 기록 패턴이 비교적 우수하였으며, 이 때 트랙밀도가 100 ktpi임을 고려하면 단일층 매체에서 60 Gb/in2의 기록밀도를 달성하는 것이 가능하다. 이러한 기록밀도는 bit 패턴의 트랙폭을 감소시킴으로써 75 Gb/in2의 기록밀도를 달성하는 것이 가능하다. 한가지 중요한 점은 이러한 높은 밀도에서도 상온에서의 열안정성 파라미터인 KV/kt가 60 정도로서 상온에서의 열적 안정성이 우수하다는 점이다.
2. 기록헤드용 고포화자속밀도 연자성 박막에 대한 연구에서는 FeHfN계 박막 및 FeTiN계 박막 기술에 대한 연구를 수행하였다. FeHfN계 박막에서는 포화자속밀도(4?Ms) 17 kG, 보자력(Hc) 0.5 Oe, 실효투자율(?eff) 3000(100 MHz)의 연자기 특성을 얻었다. 또한 FeTiN계 박막에서는 포화자속밀도 19.5 kG, 보자력 1.2 Oe, 실효투자율 200(100 MHz)의 우수한 연자성 특성을 보였다. 이들 박막에 Cr을 첨가시켜 부식저항 특성을 크게 향상시켰다. 이 박막들은 ? -Fe 결정립의 크기가 약 10 nm인 나노결정립으로 이루어져 있다. 이러한 FeXN계 고포화자속밀도 연자성 박막은 고밀도 자기기록용 헤드재료로 사용할 수 있을 것이다.
3. 재생헤드용 거대자기저항 박막에 대한 연구에서 2x10-8 Torr 이하의 기본 진공도를 가진 UHV 스퍼터링 시스템을 사용하여 제조된 conventional 스핀 밸브(Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/FeMn/Ta)에서 8.5 % 의 자기저항비를 가지면서 0.12 erg/cm2 의 교환결합 상수 값을 얻을 수 있었다. 또한 제조된 합성형(synthetic) 스핀밸브(Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe(P1)/Ru/CoFe(P2)/FeMn/Ta)에서 8.0 % 이상의 자기저항비를 가지면서 750 Oe 이상의 교환결합 자기장값을 얻을 수 있었다. 또한 합성형 스핀밸브에서 일어나는 자유층의 층간결합 자기장 값을 수정된 Neel orange peel coupling 정자기적 결합 모델을 확장시켜 제시함으로써 P1과 P2 두께 차이에 따른 그 경향을 fitting을 통해 검증할 수 있었다. 또한 CoFe를 자연산화 공정을 통하여 NOL(nano-oxide layer)이 고정층(pinned layer)에 삽입된 바텀(bottom) 타입 specular 스핀밸브에서 250 ℃ 자장중 열처리 후 10.1 %의 자기저항비를 얻을 수 있었으며, FeMn/CoFe/Cu/CoFe/Cu/CoFe/FeMn dual 스핀밸브에서 12.7%의 자기저항비를 얻을 수 있었다.
4. 500 Å 두께의 Cr75Ti25 중간층을 CoTi 하지층과 CoCrPt 자성층 사이에 삽입함으로써 CoCrPt 자성박막의 보자력이 2200 Oe에서 3200 Oe로 향상되었다. X선 회절 시험에 의하면, Cr75Ti25 중간층이 있는 CoCrPt/Cr75Ti25/CoTi 박막의 경우 Co (1010) 회절피크가 Co (1120) 회절피크와 함께 비교적 뚜렷하게 성장하였는데, 이는 Cr75Ti25 중간층이 없는 CoCrPt/CoTi 박막의 경우 Co (1120) 회절피크만 성장한 것과 대비할 만한 사실이다. Cr75Ti25 중간층의 유무와 관계없이 입자크기는 매우 작아서 180 Å임을 전자현미경에 의한 미세조직 관찰 결과 알 수 있었다. Cr75Ti25 중간층을 삽입함으로써 자기적 입자간의 상호교환작용이 약해졌음을 여러 가지 실험, 예를 들면, δM 측정분석실험, 보자력의 각도의존성 실험, MFM 측정분석 실험 등을 통하여 알 수 있었다. 상기의 보자력 향상은 Cr의 확산으로 인한 결정립계의 조성적 편석과 결정 형상의 고립화에 의한 자기적 분리 현상의 증가에 주로 기인하였다. Read/Write test의 roll-off 곡선분석으로부터, CoTi 하지층은 기존의 Cr 하지층에 비하여 신호특성이 매우 양호함을 알 수 있었다. 특히, Cr75Ti25 중간층의 삽입은 CoTi 하지층의 대체 효과를 더욱 향상시키는 것을 알 수 있다.
5. 300 nm 두께의 FePt 자성박막을 400℃ 고진공 분위기 하에서 열처리시, Equiatomic 조성에서만 오직 열처리 시간이 증가함에 따라 보자력이 증가하는 반면, 대기중에서 열처리한 경우에는 32 - 48 at.% Pt 의 넓은 조성범위에서 높은 보자력을 보였다. 또한, 120 nm 두께의 FePt 자성 박막을 350℃ 고진공 분위기 하에서 열처리시, 1 kOe 미만의 보자력을 보인 반면, 대기중에서 열처리산 Fe1-XPtX (X = 0.32 - 0.48 ) 박막은 6 kOe 이상의 보자력을 보였다. 즉, 대기 중에서 열처리하였을 때가 고진공하에서 열처리한 경우보다 적은 Pt 조성의 Fe-Pt 박막에서도 빠른 규칙-비규칙 천이속도와 높은 보자력을 보여 주고 있음을 알 수 있었다. 대기 열처리 후 단면 TEM 이미지 관찰시 철산화물층과 인접해 있는 FePt 입자의 결정립 크기는 대략 10 nm로써 열처리 전의 결정립 크기에서 거의 성장하지 않는 반면에, 기판과 인접해 있는 FePt 입자의 크기는 300 nm 시편에서 50 nm까지, 120 nm 시편에서는 30 nm까지 성장되었음을 알 수 있었다. 이는 대기 중의 산소가 결정립계로 침투하거나 다른 방식으로 박막 내부에 침투하여 금속층의 FePt 입자의 성장을 억제시켰으며, 이는 깊이에 따라 그 억제력이 점차 감소함으로써 나타나는 현상으로 추측된다.

Abstract ▼

I. Title
Development of Magnetic Thin Film Technology for the Next Generation
Ⅱ. Object and Significance
Information-related industry is currently growing at a very fast pace and it is expected to be one of major industries in the coming 21st century. In this information age, it is criti

I. Title
Development of Magnetic Thin Film Technology for the Next Generation
Ⅱ. Object and Significance
Information-related industry is currently growing at a very fast pace and it is expected to be one of major industries in the coming 21st century. In this information age, it is critical to process a large amount of information at a short period of time, and the ability to deal with the information will be an important factor for determining national strength and competitiveness. Information-related technology may consist of information processing, communications, display and storage, and the present project deals with the technology of information storage. Currently, there are several information storage systems which are mainly based on magnetic, semiconductor and optical technologies. Magnetic recording, the subject of the present project, has important advantages of price and recording density over the semiconductor recording, and, furthermore, it has advantages of fast access time and high recording density compared with optical recording. It is therefore natural that magnetic recording is currently the most widely used recording technology. Magnetic recording technology is currently in use in the field of computers, audio and video players, and digital cameras, and it is expected to be applied to digital TV, home multimedia server, medical imaging, and personal telecommunication systems. With the expected increase of the amount of information, the demand for magnetic recording systems with a high recording density and a fast access time will increase significantly in the future.
The most popular magnetic recording system, among many, is undoubtedly the computer hard disk drive (HDD), and its annual world market amounts to over 30 billion dollars, being placed the third after DRAM semiconductors and display panels. The domestic market of HDDs grows more than 20 % annually, and domestic industry basis concerning HDDs is considered to be very sound.
Four important technologies may be identified in the field of magnetic recording, and they are technologies related to heads, media, tribology and servo. Magnetic thin film technology for magnetic heads and media, which is to be developed in this project, is considered to be the most important and fundamental one, particularly in the view point of ultra high recording density. Magnetic recording technology improves at a very fact pace and hence the magnetic recording industry is technology-driven. In order to effectively cope with this situation, it is important to have a long term research scheme which covers future as well as current products. With the increased demand of large capacity and miniaturization, technological push for high density recording is on the rise. In order to meet this push, it is important to develop new magnetic thin films, among many others, for magnetic heads and media. In longitudinal type recording, which is currently in use, high recording density is being realized through reduced media thickness and grain size. Sensitive recording heads are also required for high density recording and it has been demonstrated with the use of highly sensitive GMR read heads, resulting in 100 % density increase annually. In the longitudinal recording, a recording density of 40 Gb/in2 is expected to be realized with the use of existing technologies. By adapting new technologies such as nano-tracking, the density level of 100 Gb/in2 can be a possibility with the present longitudinal recording technology. The most difficult and fundamental problem in the road to the 100 Gb/in2 is considered to be the superparamagnetic limit of the media due to the grain size reduction. This problem can most effectively be solved by perpendicular recording where the reduction of media thickness is not required to achieve high recording density. Although perpendicular recording has many important advantages in increasing recording density over conventional longitudinal recording, there are many problems to be solved for the practical realization. These problems may include signal processing, write head design and fabrication and media noise.
The brief discussion indicates that both systems of the current longitudinal and the future perpendicular recording have critical technological problems, and many of these problems, we believe, can be solved through the development of new magnetic thin films.
Ⅲ. Contents and Scope
During the first phase of the initial two years, the goal is to develop magnetic thin films for information storage of 40 Gb/in2 recording density. This can be done with the development of (1) soft magnetic thin films with Bs ≥ 18 kG, (2) spin-valve type GMR thin films with a GMR ratio of 10 % or greater, and (3) longitudinal media thin films with a coercivity of 3000 Oe or greater. Work will also be conducted in this period to develop technologies for perpendicular recording, specifically, the development of FePt perpendicular media, and of characterization technique for perpendicular recording by computer simulation.
The present research are divided into following 5 topics. Contents and scope of each topic are as follows.
1. Design through micromagnetic simulation
① Ultra-high density recording by micromagnetic computer simulation
2. Soft magnetic thin films for magnetic recording write head
① FeXN(X;Hf, Ti) based soft magnetic thin films with high saturation magnetization
② Improvement of corrosion properties of soft magnetic thin films
3. GMR thin films for magnetic recording read head
① Specular & dual spin-valve structure with high MR ratio
② Improvement of exchange bias field of spin-valve structure
4. CoCrPt based thin films for longitudinal magnetic recording media
① Effect of CrTi intermediate layer in magnetic recording media
5. FePt based thin films for perpendicular magnetic recording media
① Development of the air-annealed FePt thin film
② Development of the Fe-Pt thin film with low Pt contents
Ⅳ. Results
11 kOe) can be written with a planar-type head. Specifically, a reasonably good bit pattern with a bit density of 605 kfci has been generated on the medium with a coercivity of 11720 Oe, and, combined with a high track pitch density of 100 ktpi, it is possible to reach a recording density of 60 Gb/in2 in a single layer medium. The recording density can further be increased to 75 Gb/in2 with the improvement of the design of the present planar-type head particularly with regard to the reduction of the track width of the bit pattern. It is important to note that, even at this density, the media will not suffer from the thermal stability problem, since the value of KV/kT at room temperature is approximately 60, which is considered to be high enough to provide ample room for thermal stability.
2. FeHfN and FeTiN based soft magnetic thin films with high saturation magnetization were fabricated by reactive rf magnetron sputtering. FeHfN and FeTiN based thin films have excellent soft magnetic properties, which are saturation magnetization(4?Ms) ~17.1 and ∼19.5 kG, coercivity(Hc) ~0.8 and ∼1.2 Oe, and effective permeability(?eff) ~3000 and ∼2000 at 100 MHz, respectively. With the addition of Cr to FeXN(X; Hf, Ti) thin films, the corrosion resistance of these thin films were improved without the deterioration of magnetic properties. The excellent soft magnetic properties of these thin films was confirmed to be due to the nano-grains of 10 nm grain size. FeHfN and FeTiN based nanocrystalline soft magnetic films with high saturation magnetization have been proven to satisfy various requirements as a potential candidate for a thin film head material.
3. In the conventional spin valve(Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/FeMn/Ta), MR ratio of 8.5 % and exchange constant of 0.12 erg/cm2 in exchange biasing were obtained. In the synthetic spin valve(Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe(P1)/Ru/CoFe(P2)/ FeMn/Ta), MR ratio of over 8.0 % and exchange bias field of over 750 Oe were obtained. The modified Neel model for synthetic spin valve was suggested for the top synthetic spin valve to explain the interlayer coupling field according to the thickness change of ferromagnetic layers as P1 and P2 layers. The interlayer coupling field was decreased due to the magnetostatic coupling (orange peel coupling) as suggested by model. In the bottom type specular spin valves with NOL inserted in the pinned layer by natural oxidation of CoFe, MR ratio of 10.1 % was obtained, which was the enhanced value by specular electron scattering, compared with conventional spin valve. Furthermore, the dual spin valve with the structure of FeMn/CoFe/Cu/CoFe/ Cu/CoFe/FeMn has the MR ratio of 12.7 % after magnetic annealing at 150 ℃.
4. Coercivity increased from 2200 to 3200 Oe by incorporating the 500 Å thick Cr75Ti25 intermediate layer between the CoCrPt magnetic layer and the CoTi underlayer. From x-ray analysis, the rather strong Co (1010) diffraction was developed in addition to Co (1120) diffraction in the CoCrPt/Cr75Ti25/CoTi film, while only Co (1120) diffraction was observed in the CoCrPt/CoTi film. TEM image confirmed that the small grain size of 180 Å in the both type of film. Various observations such as δM curve, angular dependency of coercivity, and MFM(magnetic force microscopy) image indicate magnetic exchange among magnetic grains became weaker in the CoCrPt/Cr75Ti25/CoTi films. The enhancement of the coercivity can be mainly attributed to the increase of magnetic decoupling effects through the Cr segregation at the grain boundaries of the magnetic layer. The read/write performance of the CoCrPt/CoTi, CoCrPt/Cr, CoCrPt/Cr/CoTi, CoCrPt/Cr75Ti25/CoTi film media on SiO2 substrate was evaluated by GUZIK test. The enhancement of playback signal was obtained in the media grown on CoTi underlayer than that of Cr underlayer. The highest signal was obtained in the films with Cr75Ti25 intermediate layer.
5. Coercivities of all air-annealed films were very rapidly increase when compared with those of vacuum- annealed films. Coercivities higher than 6 kOe of relatively 120 nm films in a time less than 30 min. could be obtained in a wide range of 32∼48 at.% Pt content while 300 nm thick films showed a high coercivity only in equiatomic composition. If Fe-Pt films were annealed in the air, Fe oxide layer would form on the surface and there might be composition variation with increasing film depth. AES result shows only iron and oxygen atoms were detected on the surface to indicate the formation of iron oxide because Pt atoms are noble and inert to the oxidation. In the layer(metallic upper layer) just below the oxide, Fe content is lower than that of as-deposited film while Pt content is higher. From the cross-sectional TEM results, oxide and metallic layer were clearly discriminated and it was found that the oxide layer is not amorphous. Very interesting point is that the grain size of the metallic upper layer was smaller than that of the bottom layer. The average grain sizes of the upper and bottom layer were 10 and 50 nm, respectively. The grain size of the as-deposited film was about 10 nm, which is nearly same as that of the upper layer. The reason for the high transformation rate of the air-annealed films could be estimated from the above results. When Fe atoms migrated to the oxide/metal interface during the annealing. there would be the formation of vacancies at the Fe sites. These vacancies would promote migration of Fe and Pt atoms, and thus promote the transformation form the disordered phase to the ordered phase.

목차 Contents

• 제1장 총 론
  제 2 장 자기기록 시물레이션 기술 연구
  제 1 절 서 언
  제 2 절 모델과 시뮬레이션
  제 3 절 결과 및 고찰
  제 4 절 결 언
  제 3 장 기록헤드용 고포화자속밀도 연자성박막 기술연구
  제 1 절 서 언
  제 2 절 실험 방법
  1. 박막의 제조
  2. 박막의 물성분석 및 특성평가
  제 3 절 실험 결과 및 고찰
  1. FeHfN계 고포화자속밀도 연자성 박막기술
  가. FeHfN계 박막에서 조성에 따른 자기적 특성의 변화
  나. FeHfN계 박막에서 조성에 따른 미세구조의 변화
  나. FeHfN계 박막에서 두께에 따른 자기적 특성과 미세구조의 변화
  (1) FeHfN계 박막에서 두께에 따른 조성의 변화
  (2) FeHfN계 박막에서 두께에 따른 자기적 특성의 변화
  (3) FeHfN계 박막에서 두께에 따른 미세구조의 변화
  다. Co(Cr) 첨가에 따른 FeCo(Cr)HfN계 박막의 자기적 특성 변화
  (1) Co(Cr) 첨가에 따른 FeCo(Cr)HfN계 박막의 조성 및 자기적 특성 변화
  (2) Co(Cr) 첨가에 따른 FeCo(Cr)HfN계 박막의 미세구조 변화
  라. FeHfN계 연자성 박막의 부식 저항 특성
  2. FeTiN계 고포화자속밀도 연자성 박막기술
  가. FeTiN계 연자성 박막의 자기적 특성과 미세구조
  나. FeTiN계 연자성 박막의 열적 안정성과 부식 특성
  다. Cr 첨가에 따른 FeCrTiN계 박막의 특성 변화
  (1) FeCrTiN계 연자성 박막의 자기적 특성과 미세구조
  (2) FeCrTiN계 연자성 박막의 부식저항 특성
  제 4 절 결 언
  제 4 장 재생헤드용 거대자기저항 박막기술 연구
  제 1 절 서 언
  제 2 절 실험 방법
  1. 기본 스핀 밸브 및 합성형 탑 스핀 밸브 의 제조
  2. 10 % 이상의 자기저항비를 가진 바텀(bottom) 스핀 밸브 제조
  3. 10 % 이상의 자기저항비를 가진 Dual 스핀 밸브 제조
  4.. 측정 방법
  제 3 절 실험 결과 및 고찰
  1. 기본 스핀밸브의 자기저항 특성
  2. 고정층의 두께 변화에 따른 합성형(synthetic) 탑 스핀 밸브의 자기저항 특성
  3. 합성형 탑 스핀 밸브의 정자기에너지 모델링
  4. 고정층의 두께 변화에 따른 합성형 탑 스핀 밸브의 층간