수직공진 표면광 레이저 기술 Vertical Cavity Surface Emitting Laser원문보기
보고서 정보
주관연구기관
한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자
이용희
참여연구자
김창규
,
류한열
,
송대성
,
백종화
,
김규상
,
박홍규
,
김국현
,
김세헌
보고서유형
최종보고서
발행국가
대한민국
언어
한국어
발행년월
2002-01
주관부처
과학기술부
사업 관리 기관
한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology
등록번호
TRKO200300000454
DB 구축일자
2013-04-18
초록▼
1. 850-nm VCSEL의 구현산화막 구경에서의 광손실 연구, 최적 다중 횡모드 결정, (311)B기판을 이용하여 편광 안정 되고, 산화막 위치 조정/양성자 주입 병행, 정밀결정성장/Wafer-scale test, 이중산화막을 도입 비발광전류 제거, Monolithic 구조 제작, 전자빔 나노 패턴 기법 도입 2. 1550-nm VCSEL기판 용융 VCSEL 저온 CW동작으로 $Al_xO_y$/GaAs DBR을 도입, p-GaAs/p-InP 계면전압 문제 해결, Top-DBR에 산화막 구경 도입, GaI
1. 850-nm VCSEL의 구현산화막 구경에서의 광손실 연구, 최적 다중 횡모드 결정, (311)B기판을 이용하여 편광 안정 되고, 산화막 위치 조정/양성자 주입 병행, 정밀결정성장/Wafer-scale test, 이중산화막을 도입 비발광전류 제거, Monolithic 구조 제작, 전자빔 나노 패턴 기법 도입 2. 1550-nm VCSEL기판 용융 VCSEL 저온 CW동작으로 $Al_xO_y$/GaAs DBR을 도입, p-GaAs/p-InP 계면전압 문제 해결, Top-DBR에 산화막 구경 도입, GaInNAs 능동매질의 광이득 특성, 광밴드 갭 레이저, $Al_xO_y$를 도입한 Microdisk 레이저
Abstract▼
1. 850-nm VCSELOptical loss in the oxide aperture, Optimization of transverse modes, Polarization stabilization, Oxide aperture + proton implantation,High-quality wafer-growth/Wafer-scale test, Double oxide apertures to remove nonradiative current, Fabrication ofmonolithic structures, Electron-beam
1. 850-nm VCSELOptical loss in the oxide aperture, Optimization of transverse modes, Polarization stabilization, Oxide aperture + proton implantation,High-quality wafer-growth/Wafer-scale test, Double oxide apertures to remove nonradiative current, Fabrication ofmonolithic structures, Electron-beam nano-patterning 2. 1550-nm VCSEL Wafer-fused VCSELs with $Al_xO_y$/GaAs DBRs and the oxide aperture in the top DBR, Gain characteristics GaInNAs, photonic band gap laser, micro-disk laser
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