초록 ▼

1. 1차년도('99)
1)저온 poly-Si 결정화 기술 확립ㆍAC field effect·금속(Co/Ni)량 의존도
2) 증착 poly-Si 증착 메카니즘 및 저온 공정·ICP-CVD 연구·He/H₂/Cl dilution effect·구조분석연구 (XRD, Raman, TEM, SEM, AFM)
3) 저온 도핑기술·가속전압, 도핑온도, 수소분압4) ICP-CVD 증착 장비 개선·저 ion damage 공정 확립·He dilution 효과
2. 2차년도('00)
1) 신기술에 의한 비정질 실리콘의 결정화

1. 1차년도('99)
1)저온 poly-Si 결정화 기술 확립ㆍAC field effect·금속(Co/Ni)량 의존도
2) 증착 poly-Si 증착 메카니즘 및 저온 공정·ICP-CVD 연구·He/H₂/Cl dilution effect·구조분석연구 (XRD, Raman, TEM, SEM, AFM)
3) 저온 도핑기술·가속전압, 도핑온도, 수소분압4) ICP-CVD 증착 장비 개선·저 ion damage 공정 확립·He dilution 효과
2. 2차년도('00)
1) 신기술에 의한 비정질 실리콘의 결정화 연구·결정화 핵으로 작용하는 금속의 선택적인 증착방법 연구·결정화 조건에 따른 박막표면의 변형연구·DC/RF 인가방법과 결정화에 미치는 영향 연구
2) PECVD에 의한 증착 다결정 실리콘의 증착 조건 최적화·Gas mixing ratio·증착속도·SMC 결정화 방법과의 장·단점 비교/보완
3) Ion shower 장비를 통한 저온 도핑기술의 최적화·가속전압, $T_s$ 최적화·최적 dose량 결정·저온 poly-Si을 이용한 소자제작에 직접 적용 가능한 공정기술 확보
4) 고품위 저온 SiO₂증착기술·저수소 공정·Surface modification·장비의 modification·새로운 증착방법에 관한 연구
5)1단계 연구결과를 응용한 저온 공정 poly-Si TFT 제작(TFT제작에 신기술을 적용)

Abstract ▼

1. $1^{st}$ Year('99)
1) Establishment of crystalization technique·AC field effect·Dependence of metal quantity
2) Understanding of poly-Si deposition mechanism·Study of ICP-CVD method·He/H₂/Cl dilution effect·Structural analysis (by using XRD, Raman, TEM, SEM, AFM)
3) Low temp.

1. $1^{st}$ Year('99)
1) Establishment of crystalization technique·AC field effect·Dependence of metal quantity
2) Understanding of poly-Si deposition mechanism·Study of ICP-CVD method·He/H₂/Cl dilution effect·Structural analysis (by using XRD, Raman, TEM, SEM, AFM)
3) Low temp. doping technique·Acceleration Voltage, Sub. temp., H dilution effect
4) Modification of ICP-CVD chamber·Low ion damage process·He dilution effect
2. $2^{nd}$ Year('00)
1) Study on the crystallization of a-Si by using a new method (SMC)·Selective deposition of metal·Surface morphology variation under different crystalization condition·DC/AC field effect on the crystallization
2) Optimization of PECVD condition for as-depo poly-Si·Gas mixing ratio·Deposition Velocity
3) Oprimization of low temp. doping technique by using ion shower·Acceleration voltage, $T_s$·Optimization of dopant concentration·Secure a directly applicable process technique for device fabrication using low temp poly-Si
4) Secure a high quality low temp SiO₂deposition method
5) Fabrication of poly-Si TFT by using the results of $1^{st}$ stage R & D

목차 Contents

• 제1장. 서론...13
• 제1절. 연구개발의 개요...13
• 제2절. 연구개발의 필요성...13
• 1. 연구개발의 경제ㆍ사회ㆍ기술적 중요성...13
• 2. 지금까지의 연구개발 실적...15
• 3. 현기술상태의 취약점...16
• 4. 앞으로의 전망...16
• 제2장. 국내외 기술개발 현황...17
• 제3장. 연구개발수행 내용 및 결과...20
• 제1절. 연구추진전략 및 방법...20
• 1. 연구추진전략...20
• 2. 연구추진방법...22
• 제2절. 연구개발결과...57
• 1. 신개념의 비정질 실리콘 결정화...57
• 2. 저온 $SiO_2$ 증착 기술...69
• 3. 저온 TFT공정 및 구조...72
• 4. TFT 표면 및 계면 연구...79
• 5. Poly-Si 박막의 in-situ 형성 기술...84
• 6. n+/P+의 저온 activation...86
• 제4장. 연구개발목표 달성도 및 대외기여도...88
• 제1절. 연구개발목표 달성도...88
• 제2절. 연구개발의 대외 기여도 및 기대성과...90
• 1. 연구개발의 대외 기여도...90
• 2. 연구개발의 기대성과...90
• 제5장. 연구개발결과의 활용계획...92
• 제1절. 추가연구의 필요성...92
• 제2절. 연구결과의 활용계획 및 활용가능성...96
• 제6장. 참고문헌...99