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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전기연구원 Korea Electrotechnology Research Institute |
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발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2002-06 |
주관부처 | 과학기술부 Ministry of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200300002349 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 자기저항.직선성.반강자성층.전류측정센서.휘스톤브릿지.magnetoresistance.linearity.Antiferromagnetic layer.current sensor.Wheatstone bridge. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO200300002349 |
본 연구에 사용된 반강자성 결합에 의한 이층 박막의 자기저항소자에서 저항변화율이 일반적으로 알려진 2%를 상회하는 값을 얻었다. 박막제조에는 RF 및 DC sputter 방법을 사용하였으며, 증착압력과 power등의 적절한 조합 및 in-situ magnetic field 인가에 의한 박막 제조방법과 더불어, 박막 제조 후 다양한 열처리 방법에 따른 자기저항 변화거동을 조사하였다.
MR소자 제조시 반강자성층을 도입함으로써 외부자기장과 자성박막의 easy axis 방향과 인가되는 전류 방향간의 임의의 각을 갖도록 함으로써 직선성
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