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NTIS 바로가기주관연구기관 | 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology |
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연구책임자 | 구양모 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-08 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200300003576 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | X선 불순물 구리배선 가속기 반도체공정.x-ray TXRF electromigration interconnector microdiffraction. |
반도체 소자의 불순물 측정 기술의 개발이 소자 제조 공정의 수율과 공정 변수 사이의 관계를 밝히기 위해 요구되며 방사광을 사용하는 TXRF 방법이 미래의 반도체 산업에서 요구되는 측정한계를 만족시킬 것으로 예측되고 있다. 또한 구리 도선 기술은 반도체의 고속, 저전력화의 핵심기술로서 신뢰성 문제에 대한 기술 확보와 구리배선의 미세화에 따라 전자이동저항 특성 변화에 대한 분석 기술의 개발을 통해 배선의 파괴 기구, 수명 예측을 가능케 해야한다. 형광강도의 입사각 의존성을 이용하여 불순물 농도의 깊이 분포 분석이 가능하고 이러한 불순물
As the device size of today′s most advanced integrated circuits is diminished, it is known that the transition metal impurities such as Fe, Ni and Cu give the detrimental effect on the process yields and performance of integrated circuits.
Although the ultra cleaning process is improved, the dete
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