초록 ▼

가. 연구 개발 최종 목표
o 대용량 완전 광통신을 위한 1.3 ㎛의 장파장 대역의 8파장 이상의 다채널 수직공진형 표면방출 마이크로 레이저(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL) 어레이 소자 구현
o 수직공진형 표면방출 마이크로 레이저 어레이 소자의 목표 특성
- 발진 파장 : ∼1.3 ㎛
- 어레이 수 : ≥ 8
- 채널당 전송 속도 : > 1.25 Gbps
- 표면방출 레이저 소자 출력 : ≥ 0.1 mW
- 표면방출 레이저

가. 연구 개발 최종 목표
o 대용량 완전 광통신을 위한 1.3 ㎛의 장파장 대역의 8파장 이상의 다채널 수직공진형 표면방출 마이크로 레이저(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL) 어레이 소자 구현
o 수직공진형 표면방출 마이크로 레이저 어레이 소자의 목표 특성
- 발진 파장 : ∼1.3 ㎛
- 어레이 수 : ≥ 8
- 채널당 전송 속도 : > 1.25 Gbps
- 표면방출 레이저 소자 출력 : ≥ 0.1 mW
- 표면방출 레이저 어레이 패키지 모듈 기술 개발
나. 연도별 연구 내용
1) 1차('01)년도 연구 내용
o 1.3 ㎛ 표면방출 레이저 구도 구현을 위한 구조 최적화와 성장 및 제작 기술 개발
o 표면방출 레이저 어레이 소자의 제작 공정 기술 개발
o 표면방출 레이저 어레이 패키지 구조 설계
2) 2차('02)년도 연구 내용
o 1.3 ㎛ 표면방출 레이저 소자 기술 개발
o 표면방출 레이저 어레이 제작 공정 기술 개발
o 표면방출 레이저 어레이 패키지 모듈 기술 개발

Abstract ▼

A. Final Goal
o Realization of 1.3 ㎛-wavelength 8-channel vertical-cavitysurface-emitting laser(VCSEL) array for large capacity and short haul optical communication
o Characteristics of the VCSEL array -
Wavelength range : ∼l.3 ㎛
- Channel number : ≥ 8 channel
- Transmission d

A. Final Goal
o Realization of 1.3 ㎛-wavelength 8-channel vertical-cavitysurface-emitting laser(VCSEL) array for large capacity and short haul optical communication
o Characteristics of the VCSEL array -
Wavelength range : ∼l.3 ㎛
- Channel number : ≥ 8 channel
- Transmission data rate : ≥ 1.25 Gbps
- single VCSEL output : ≥ 0.1 mW
- VCSEL array packaged module
B. Research Activity
1) Research Activity in 2001 (1st year)
o Structural optimization and growth and fabrication developments for 1.3 ㎛ VCSEL
o Design and fabrication of VCSEL array
o Design and fabrication of VCSEL array packaging
2) Research Activity in 2002 (2nd year)
o Realization of 1.3 ㎛ vertical-cavity surface-emitting laser
o Development of the fabrication technologies for VCSEL array
o Realization of 1.3 ㎛ vertical-cavity surface-emitting laser array module

목차 Contents

• 제 1 장 서 론...27
• 제 1 절 연구의 필요성 빛 범위...29
• 제 2 절 장파장 표면방출 레이저의 연구 동향...30
• 제 3 절 보고서 체계...33
• 제 2 장 1.31 ㎛ 장파장 표면방출 레이저의 성장...35
• 제 1 절 InP/In(Al,Ga)As층 경계면 향상...37
• 제 2 절 1.3 ㎛ 장파장 표면 방출 레이저 성장...41
• 제 3 장 모노리딕 1.3-㎛ 표면방출레이저 제작 및 특성...47
• 제 1 절 모노리딕 1.3-㎛ 표면방출 레이저 구조 및 제작...49
• 제 2 절 모노리딕 1.3-㎛ VCSEL의 준(準)상온 연속 발진...57
• 제 3 절 모노리딕 1.3-㎛ 표면방출 레이저 8 채널 어레이 제작 및 고속 동작 특성...61
• 제 4 장 1.3 ㎛ 표면 방출 레이저 모듈 연구...73
• 제 1 절 서 론...75
• 제 2 절 모듈 설계 및 제작...75
• 제 3 절 VCSEL array module 특성 평가...88
• 제 4 절 결론...96
• 제 5 장 표면 방출 레이저 어레이 수율 개선...97
• 제 1 절 서 론...99
• 제 2 절 고 성능 고 수율 VCSEL 공정 개발...102
• 제 3 절 대량생산을 위한 Screen Methods 연구 및 불량분석...109
• 제 4 절 어레이 제작 결과 및 고속 변조 특성 평가...112
• 제 6 장 InGaAsN 1.3 ㎛ 능동 매질연구...117
• 제 1 절 서 론...119
• 제 2 절 InGaAsN 양자우물의 성장 및 특성분석...123
• 제 3 절 결 론...131
• 제 7 장 Hybrid 장파장 표면방출 레이저의 제작 및 특성...133
• 제 1 절 서 론...135
• 제 2 절 하이브리드형 표면 방출 레이저 구조...137
• 제 3 절 하이브리드 표면 방출 레이저 특성...140
• 제 8 장 결 론...147
• 부 록...153