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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 한일기 |
참여연구자 | 이정일 , 김은규 , 조운조 , 박용주 , 최원준 , 송진동 , 허두창 , 배형철 , 유영채 , 양진석 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2004-06 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200500002325 |
과제고유번호 | 1350014277 |
사업명 | 국가지정연구실사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 고출력 레이저 다이오드.고휘도 광원.단일모드.테이퍼 레이저 다이오드.대면적 레이저 다이오드.양자우물/양자점.Highpower laser diodes.Superluminescent diodes.Single mode.Taper LD.Broad-area laser diodes.Quantum well/Quantum dot. |
ㆍ 단일모드형의 고출력 LD의 경우 양쪽 거울면의 aperture 크기가 다른 불완전공진기를 가진 테이퍼 LD를 통하여 제작되었으며, 최대 광출력과 단일모드 광출력은 상온에서 각각 CW 1.5-2.4 W, CW 1.1 W 이상이었음. Far-field 측정을 통하여 diffraction-limited 특성을 확인하였고, 다중모드 및 단일모드 광섬유를 이용하여 각각 CW 500 mW와 200 mW 이상의 단일모드 광출력을 결합시키었음.
ㆍ 대면적형 LD의 경우 AR/HR 코팅을 수행하여 상온에서 CW 2.1 W의 광출력을 얻었음
The purpose of this research is to develope high power laser diodes and SLDs.
Among the various applicable fields, we focus on high power laser diodes in the wavelength of 1100-1600 run which are useful in Raman amplifier. We develope SLDs of which wavelength is in the range of 1100-1600 run to a
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