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NTIS 바로가기주관연구기관 | 정보통신연구진흥원 Institute for Information Technology Advancement |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2000-12 |
주관부처 | 정보통신부 |
등록번호 | TRKO200500017426 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
정보통신기기의 소형화 및 이동성의 향상에 따라 저전력 및 다기능의 메모리 소자의 개발이 요구됨에 따라, 차세대 불휘발성 메모리 소자로서 가장 유망한 단일 트랜지스터 강유전체 소자(1T Ferroelectric Memory Device)기술을 연구 개발하고자 한다. 단일 트랜지스터 강유전체 메모리 소자는 단위 소자 개발을 목표로, 강유전체 박막 제조 기술, CMOS공정과 정합된 집적화 기술 개발, 강유전체 게이트 식각 기술, 후절연막 형성 기술, 주변회로의 설계기술 등 관련 핵심 요소 기술을 확보하고, 이를 통해 불휘발성 메모리 기술
1 -Tr(one transistor) ferroelectric memory device have attracted considerable attention for their application in nonvolatile memory device, because 1 Tr Ferroelectric Memory Device exhibits low power consumption and multi-function, and satisfies the requirements of very small-sized system for mobile
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