유기 TFT.플라스틱 기판.게이트 절연막.유전율.절연파괴 전압.OTFT.Flexible display.gate Insulator.Dielectric Constant.Breakdown voltage.
초록▼
낮은 비용으로 공정 진행이 가능하고 Flexible 기판과 상용성이 있다는 장점으로 무기물론 제조되는 TFT 공정을 유기 TFT (OTFT)로 전환하고자 하는 많은 노력들이 현재 진행되고 있다. 그러나 유리 그리고 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에서의 무기 게이트 절연막과Flexible 기판에서의 유기 게이트 절연막의 특성을 비교할 때 현재까지는 열등한 특성을 보이는 것이 사실이다.이와 같은 단점을 극복하려면, 높은 절연파괴전압, 내습성, 높은 유전율, 그리고 접착력 및 코팅성이 우수하여야 한다.본 연구에서는, 유기 절연막의 특성을 만족
낮은 비용으로 공정 진행이 가능하고 Flexible 기판과 상용성이 있다는 장점으로 무기물론 제조되는 TFT 공정을 유기 TFT (OTFT)로 전환하고자 하는 많은 노력들이 현재 진행되고 있다. 그러나 유리 그리고 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에서의 무기 게이트 절연막과Flexible 기판에서의 유기 게이트 절연막의 특성을 비교할 때 현재까지는 열등한 특성을 보이는 것이 사실이다.이와 같은 단점을 극복하려면, 높은 절연파괴전압, 내습성, 높은 유전율, 그리고 접착력 및 코팅성이 우수하여야 한다.본 연구에서는, 유기 절연막의 특성을 만족시키기 위해 새로운 단량체를 이용하여 합성한 레진을 사용하여 유전율, 투과도, 접착력, 가스방출률, 절연파괴전압 평가를 진행하였다.평가 결과, 유전율은 4, 투과도는 93%, 절연파괴전압 0.6MV/cm, 0.3% 이하의 가스방출률, 금속과의 접착력 증대 효과를 보였다.
Abstract▼
Much effort has been directed toward implementing all polymer organic thin film transistors so as to take advantage if the inherent merits of OTFTs, such as 1 low-cost process and compatibility with flexible substrates. However, the performance of OTFTs with polymer gate insulators on flexible subst
Much effort has been directed toward implementing all polymer organic thin film transistors so as to take advantage if the inherent merits of OTFTs, such as 1 low-cost process and compatibility with flexible substrates. However, the performance of OTFTs with polymer gate insulators on flexible substrates has been inferior to that of OTFTs with inorganic gate dielectrics m rigid substrates such as glass and Si Wafers. If this inferiority is to be overcome, polymer gate insulators must have a high breakdown voltage, good immunity against moisture, a high dielectric constant, and a good surface alignment effect for active materials. In this research, We estimated dielectric constant, transmittance, metal adhesion, out gassing ratio, break down voltage. using the synthesized resin to satisfy the characteristic of organic insulator. In results, It showed that dielectric constant was 4, transmittance was 93%, break down voltage was 0.6MV/cm, out gassing ratio was below 0.3% and increase of adhesion with metal.
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