초록 ▼

1. 연구 개발 목표 및 내용
MC 50 사이클로트론 설비에서 생성되는 양성자 빔을 Zn 시료에 조사하여 Zn(p,xn) 반응 단면적을 양성자 에너지의 함수로 측정한다. 측정된 결과를 이미 측정된 국외 결과들과 비교 분석한다.
2. 연구결과
- MC 50 싸이클로트론 설비에서 생성되는 양성자 빔을 Zn 시료에 조사하여 양성자 핵반응 단면적을 입사 양성자 에너지 함수로 측정하였다.
(1) 표준시료의 $^{nat}Cu(p,xn)^{62}Zn$ 반응 단면적을 문턱에너지에서 40 MeV까지 양성자

1. 연구 개발 목표 및 내용
MC 50 사이클로트론 설비에서 생성되는 양성자 빔을 Zn 시료에 조사하여 Zn(p,xn) 반응 단면적을 양성자 에너지의 함수로 측정한다. 측정된 결과를 이미 측정된 국외 결과들과 비교 분석한다.
2. 연구결과
- MC 50 싸이클로트론 설비에서 생성되는 양성자 빔을 Zn 시료에 조사하여 양성자 핵반응 단면적을 입사 양성자 에너지 함수로 측정하였다.
(1) 표준시료의 $^{nat}Cu(p,xn)^{62}Zn$ 반응 단면적을 문턱에너지에서 40 MeV까지 양성자 에너지 함수로 측정
(2) $^{nat}Zn(p,xn)^{66,67}Ga$, $^{nat}Zn(p,pxn)^{62,65,69m}Zn$, $^{nat}Zn(p,{\alpha}xn)^{61}Cu$ 반응 단면적을 문턱 에너지에서 40MeV까지 양성자 에너지 함수로 측정
(3) $^{nat}Mo$(p,xn) 반응단면적 측정 결과 데이터 분석 및 측정 반응단면적 출판
(4) Zn 및 Mo 시료에서 생성되는 동위원소들의 적분생성율 (Integral Yield) 획득
3. 기대효과 및 활용방안
- 양성자빔 조사실험으로 Zn(p,xn) 반응 단면적을 측정 할 수 있는 기술 축적.
- 향후 구축되는 양성자 설비 및 국내설비를 활용하는 연구 기대.
- 다양한 핵자료 측정 방법의 개발로 인력 양성 효과 기대.
- 의료용 방사성 동위원소 생산에 필요한 반응단면적 측정 가능.
- 핵자료 평가에 필요한 실험 자료로 활용.

Abstract ▼

We measured the production cross-sections of proton induced reactions Zn(p,xn) and Mo(p,xn) as a function of proton energy at the MC 50 Cyclotron facility and compared with other measurements. In order to irradiate samples in the beam, we added Cu and Al standard samples in addition to Zn (Mo) sampl

We measured the production cross-sections of proton induced reactions Zn(p,xn) and Mo(p,xn) as a function of proton energy at the MC 50 Cyclotron facility and compared with other measurements. In order to irradiate samples in the beam, we added Cu and Al standard samples in addition to Zn (Mo) sample and made a stacked-target. The standard cross-sections of $^{nat}Cu(p,xn)^{62}Zn$ were measured in the proton energies from threshold energy to 40 MeV and compared with the proton energy calculated by the SRIM code. We finally measured the production cross-sections of radioisotopes from Zn and Mo samples by using the proton energies from threshold energy to 40 MeV.

목차 Contents

• 표지...1
• 제출문...2
• 최종연구보고서 초록...3
• 요약문...4
• SUMMARY...6
• CONTENTS...8
• 목차...9
• 제 1 장 연구개발과제의 개요...11
• 제 1 절 연구개발의 목적 및 범위...11
• 제 2 절 연구개발의 필요성...11
• 제 2 장 국내.외 기술개발 현황...13
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...14
• 제 1 절 양성자빔을 이용한 반응단면적 측정 방법...14
• 1. 측정 원리 및 방법...14
• 2. 실험 준비...15
• 가. MC 전산시늉...15
• 나. Stacked-Target 장치...16
• 제 2 절 양성자 조사 실험 및 데이터 획득장치...17
• 1. MC-50 AVF 싸이클로트론...17
• 2. Stacked -Target 설치...18
• 3. 데이터 획득 장치...19
• 제 3 절 측정 데이터 결과 및 논의...20
• 1. 데이터 분석...20
• 가. 에너지 교정...20
• 나. HPGe 검출기의 검출효율...21
• 다. 양성자 flux 측정...22
• 라. 양성자 핵 반응 단면적 유도...24
• 2. 측정 결과...25
• 가. 표준시료(Cu)의 반응단면적 측정...25
• 나. natZn(p,xn) 반응단면적 측정...25
• 다. natMo(p,xn) 반응단면적 측정...27
• 라. 적분 생성 율 (Integral Yield) 계산...30
• 제 4 장 연구개발 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도...32
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...35
• 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외 과학기술정보...36