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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 Korea University |
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연구책임자 | 김지현 |
참여연구자 | 김홍렬 , 안재희 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2008-04 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술정보연구원 Korea Institute of Science and Technology Information |
등록번호 | TRKO200800006213 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 양성자.질화갈륨.저지구궤도.와이드 밴드갭.내방사선.AlGaN/GaN.Wide Bandgap.HEMT.Defect.Proton. |
강한 에너지를 가진 양성자가 반도체 소자에 충돌할 때 구조적인 결함이 생성되게 된다. 이 결함들이 밴드갭 내의 중심부분에 위치하여 캐리어가 그 안에 들어가 빠져나오는 것이 어렵게 되므로 캐리어의 수를 급격히 저하시키는 결과를 가져온다. GaN와 같은 wide bandgap 반도체 소자들은 우주방사선에 상대적으로 강한 것으로 알려져 있다. 특히 AlGaN/GaN HEMT는 channel이 매우 얇기 때문에 양성자에 대한 영향을 더욱 적게 받을 것으로 예상하였다. 이를 확인하고 반도체 소자로서의 안정성을 평가 및 최적화시키기 위해 25
AlGaN/GaN high electron mobility transistors were irradiated at 5keV and 25MeV proton energies. Current-voltages were compared before and after proton irradiation. As expected from simulation results, 5keV protons severely damaged the transistors` performance compared to 25MeV protons. Also, the eff
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