초록 ▼

중원 적외선 동시 검출기 개발
-중원 적외선 동시검출기 개발용 이중 접합 구조의 HgCdIe 반도체 박막의 성장공정을 확립
-64x2급의 선형 어레이 소자제작에 요구되는 일련의 공정을 개발
-적외선 신호 검출을 위한 실리콘 판독회로 설계 및 제작
-인듐 범프 형성 공정 및 하이브리드 본딩 공정 개발
-열영상 시스템 개발
질화물 반도체를 이용한 자외선 검출기 개발
-n-및 p-type GaN doping 및 농도 제어기술
-Ohmic 및 Scottky 금속 접합 설계 및 제조기술
-고품

중원 적외선 동시 검출기 개발
-중원 적외선 동시검출기 개발용 이중 접합 구조의 HgCdIe 반도체 박막의 성장공정을 확립
-64x2급의 선형 어레이 소자제작에 요구되는 일련의 공정을 개발
-적외선 신호 검출을 위한 실리콘 판독회로 설계 및 제작
-인듐 범프 형성 공정 및 하이브리드 본딩 공정 개발
-열영상 시스템 개발
질화물 반도체를 이용한 자외선 검출기 개발
-n-및 p-type GaN doping 및 농도 제어기술
-Ohmic 및 Scottky 금속 접합 설계 및 제조기술
-고품위 \$Al_x$\$Ga_1$ xN(X=0.5까지)의 x 제어기술
-고품위 \$Al_x$\$Ga_1$-xN(x=0.2까지)의 doping농도 제어기술
-Photovoltaic 및 photoconductioe type UV 검출기 제작기술
-고효율 및 툼여 전극구조 설계 및 제작 기술
-고품위 \$Al_x$\$Ga_1$-xN(x=0.5까지)의 dry 에칭 기술
-UV 검출기 구조의 dry 에칭 기술 개발
-UV 검출기 구조의 특성 및 성능 평가 기술

Abstract ▼

The Key points of this research Program are
-Growth of HgCdTe layer using a MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) which yields very accurate material composition and doping concentration.
-Processing of Photo voltaic diodes using well- controlled etching and passivating technique This te

The Key points of this research Program are
-Growth of HgCdTe layer using a MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) which yields very accurate material composition and doping concentration.
-Processing of Photo voltaic diodes using well- controlled etching and passivating technique This technique allows accurate control of the Pixel size and for 64x2 linear array
-Design of silicon read out circuit for low noise signal Processing
-Hybridization of PV diodes and silicon readout circuit using Indium bump reflow technique.
-Signal Processing for imagery
-Doping Control of n- and p-type GaN
-Fabrication technique of Ohmic and Schottky metal colltact
-Al composition Control of high quaity \$Al_x$\$Ga_1$-xN（x uP to 0.5)
-Doping control of high quality \$Al_x$\$Ga_1$-xN (x uP to 0.2)
-Fabrication technlique of Photovoltaic and photoconductive UV photodetectors
-Fabrication technlique of high effciency transparent electrode
-Dry etching technlique of high quality \$Al_x$\$Ga_1$-xN (x up to 0.5)
-Dry etching technique of UV photodetectors
-Test and characterization technique of UV photodetector
-Performance of the device fabricated in this work (MISM UV photodetector with)

목차 Contents

• 제1장 연구개발 과제의 개요...14
• 제1절 개요...14
• 제2절 연구개발의 최종 목표...14
• 제3절 연구개발 필요성...15
• 제4절 연구개발 범위...17
• 제2장 국내외 기술개발 현황...19
• 제1절 국내 기술 현황...19
• 제2절 국외 기술 현황...19
• 제3장 연구개발 수행 내용 및 결과...21
• 제1절 중.원 적외선 동시 감지소자 개발...21
• 제2절 질화물 반도체를 이용한 자외선 검출기 개발...41
• 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도...51
• 제1절 연구개발 목표 달성도...51
• 제2절 개발과제의 적응성 및 관린 분야 기여도...52
• 제5장 연구개발결과의 활용계획...54
• 제6장 참고문헌...55