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NTIS 바로가기주관연구기관 | 삼성전기(주) SamSung Electro Mechanics |
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연구책임자 | 오방원 |
참여연구자 | 문성주 , 이종화 , 한영석 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-03 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800067209 |
사업명 | 특정연구개발사업<중점국가연구개발사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 초고전압 다이오드.내압.신뢰성.Surge.Clamping. |
8KV초고전압 다이오드에 대한 개발을 완료하는데 있어서 소자에 직접 인가 되어지는 Surge특성 에 중점을 두었다.
소자의 surge내량을 증가시키기 위해 고농도의 Silicon wafer를 사용하였으며,1chip 4Diode를 구현하기 위하여 소자의 Isolation정도를 시뮬레이션을 통하여 구현하였다. 또한 소자 제작전에 각각의 특성에 대한 시뮬레이션을 실시하여 최적의 특성을 구현하기 위한 재료,pattern에 대한 검증을 실시하였다.소자제작은 개별반도체 소자의 제작에 적합한 공정에서 수차례의 검증을 실시한 후 진행하였고
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