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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국외국어대학교 Hankuk University of Foreign Studies |
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연구책임자 | 이성현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2004-05 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국학술진흥재단 Korea Research Foundation |
등록번호 | TRKO200800067912 |
과제고유번호 | 1350007135 |
사업명 | 지역대학우수과학자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | RF CMOS.RF IC 설계.MOSFET 모델.파라미터 추출.기판 모델.SPICE 모델.RF CMOS.RF IC Design.MOSFET Model.Parameter Extraction.Substrate Model.SPICE Model. |
본 연구의 목표는 실리콘 RF CMOS의 손실 substrate 기생성분들을 GHz 영역에
서 정확히 모델링 함으로써, 이동통신 시스템용 RF IC를 정확히 설계하는데 적용할
수 있는 새로운 scalable 비선형 RF MOSFET 모델을 구축하는데 있다.
실리콘 RF CMOS소자를 사용한 RF IC의 신뢰도 있는 설계를 위해서는 복잡한
RF 기판 특성을 정확히 예측할 수 있는 RF 기판모델의 연구가 필수적이다. 하지만
기존의 SPICE 모델은 단순한 lumped 기판 회로를 사용하여 GHz 출력특성을 정
The purpose of this research is to develop a new scalable RF MOSFET
model applicable for the reliable design of RF IC chips in mobile communications
systems, by modeling the lossy substrate parasitics of silicon RF CMOS in the
GHz range accurately.
For the reliable design of RF IC's usin
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