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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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연구책임자 | 이철로 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2006-11 |
과제시작연도 | 2005 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800068260 |
과제고유번호 | 1350015955 |
사업명 | 특정기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 |
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“극저결함/고품위 AlxGa1-xN/GaN, InxGa1-xN/GaN-on-Si(111) & Si(100) 나노양자 구조(QW/QD) 제작과 이를 이용한 340-400 nm영역 고전력/고출력 나노광전소자 제작기술 개발“
o 나노양자구조 - DCXRD FWHM<200 arcsec - Defect Density <
o 고출력광전소자 - Output 광출력>3 W - 내부양자효율>90
"Fabrication of extremely low defect/highly uniform
o Nano-quantum -DCXRD FWHM<200 arcsec - Defect Density <
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