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NTIS 바로가기주관연구기관 | 중앙대학교 Chung Ang University |
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연구책임자 | 최인환 |
참여연구자 | 유국현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2005-01 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800068987 |
과제고유번호 | 1350015865 |
사업명 | 기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 |
CuInSe |
1~3차 연도에 걸쳐 태양전지의 흡수층으로 사용될 CuInGaSe2(CIGS) 박막을 성장하기 위한 연구를 수행하였다. MOCVD 법으로 CIGS 박막을 제작하기 위해서는 무엇보다도 새로운 전구체의 합성이 주안점 이었다. 따라서, 본 연구에서는 독자적으로, CIGS 박막을 제작하기 위해 새로운 InSe와 GaSe 단일 전구체를 합성하였다. 이로부터 얻어진 전구체의 열적 특성과 증착된 CIGS 박막의 물리적 특성을 중간 보고서를 통해서 제시하였다. 그리고, 4차 연도에서는 태양전지의 완충층으로 사용될 CdS 박막증착을 위한 전구체를
The research for deposition of CuInGaSe2(CIGS) thin film to use as an absorber layer of solar cell has been performed from 1st- to 3rd-year. Development of new precursors was the key to fabricate CIGS by using MOCVD method. So, in this study we synthesized new InSe and GaSe precursors independently
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