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차세대 고효율 화합물 반도체 태양전지 개발
Development of Next Generation High efficiency Compound Semiconductor Solar Cells 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 중앙대학교
Chung Ang University
연구책임자 최인환
참여연구자 유국현
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2005-01
과제시작연도 2003
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학재단
Korea Science and Engineering Foundtion
등록번호 TRKO200800068987
과제고유번호 1350015865
사업명 기초연구지원
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 CuInSe$_2$.태양전지.대체에너지.MOCVD.단일전구체.CIGS.CuInSe$_2$.Solar cell.Renewable energy.CVD.Single source precursor.CIGS.

초록

1~3차 연도에 걸쳐 태양전지의 흡수층으로 사용될 CuInGaSe2(CIGS) 박막을 성장하기 위한 연구를 수행하였다. MOCVD 법으로 CIGS 박막을 제작하기 위해서는 무엇보다도 새로운 전구체의 합성이 주안점 이었다. 따라서, 본 연구에서는 독자적으로, CIGS 박막을 제작하기 위해 새로운 InSe와 GaSe 단일 전구체를 합성하였다. 이로부터 얻어진 전구체의 열적 특성과 증착된 CIGS 박막의 물리적 특성을 중간 보고서를 통해서 제시하였다. 그리고, 4차 연도에서는 태양전지의 완충층으로 사용될 CdS 박막증착을 위한 전구체를

Abstract

The research for deposition of CuInGaSe2(CIGS) thin film to use as an absorber layer of solar cell has been performed from 1st- to 3rd-year. Development of new precursors was the key to fabricate CIGS by using MOCVD method. So, in this study we synthesized new InSe and GaSe precursors independently

목차 Contents

  • I. 연구계획 요약문...3
  • 1. 국문요약문...3
  • II. 연구결과 요약문...4
  • 1. 국문요약문...4
  • 2. 영문요약문...5
  • III. 연구내용...6
  • 1. 서론...6
  • 2. 연구방법 및 이론...12
  • 3. 결과 및 고찰...25
  • 4. 결론...75
  • 5. 인용문헌...76

참고문헌 (25)

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