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NTIS 바로가기주관연구기관 | 연세대학교 Yonsei University |
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연구책임자 | 박형호 |
참여연구자 | 윤기현 , 전형탁 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2003-10 |
과제시작연도 | 2002 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200800069079 |
과제고유번호 | 1350023045 |
사업명 | 목적기초연구사업 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 강유전 박막.MFIS-FET.확산방지막.NDRO-FRAM.MFM 구조.DRO-FRAM.산화물 전극.ferroelectric thin film.MFIS-FET.diffusion barrier.NDRO-FRAM.MFM structure.DRO-FRAM.oxide electrode. |
NDRO형과 DRO형 FRAM 각각에 적합한 강유전 물질의 개발과 물성 개선에 대한 연구를 수행하고 이와 더불어 전극물질, 산화물계 및 질화물계 확산 방지막 개발 등 주변 공정에 대한 연구를 통하여 FRAM 성능 개선에 필요한 공정을 확립하고자 하였다. 또한 본 연구에서는 개발하고자하는 각종 박막재료의 최형태, 요구되어지는 물성, 기존의 보고된 연구결과 등을 종합하여 가장 적합하다고 생각되는 증착방법을 선정, 박막형성 공정을 개발하고자 하였다. 이에 따라 강유전 박막 및 확산 방지막, 그리고 전극재료의 증착은 박막에 적합한 형성공정
Studies on the development of new ferroelectric thin films and the improvement of electrical property were performed. In addition, the development of electrode material, oxide compounds against hydrogen diffusion, and nitride compound against silicide formation were studied. And film deposition tech
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