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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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연구책임자 | 임기영 |
참여연구자 | 남기석 , 양전욱 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2004-10 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900070312 |
과제고유번호 | 1350015889 |
사업명 | 기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | AIGaN/GaN.3C-SiC.MODFET.2-DEG.Piezoelectric Effect.MOCVD. |
GaN/ AIGaN의 이종접합은 큰 band- offset을 갖기 때문에 양자우물을 형성할 수 있어 고주파/ 고전력 MODFET에 대한 응용이 활발히 연구되고 있다. MODFET의 채널층 으로 이용되는 AIGaN/ GaN의 헤테로 구조는 기판으로 사용되어 오던 사파이어 대신 SW/ cm- K의 높은 열전도도를 갖는 대 면적 성장이 가능한 3C- SIC를 기 판으로 Piezoelectric effect를 이용한 고이동도/ 고농도의 캐리어 밀도를 갖는 질화물반도쳬 2-DEG 층을 성 장하여 캐 리 어 증가를 꾀 하는 한편 획 기 적 인
The main objective of this study is settling down tlie AlGaN/ GaN MODFET technology that improves the power hmit, by using the 3C-SiC, which has superior themal conductivity of 5W/ cm- K. Also, the Z- DEG layer with high electron concelltration and high electron mobility on tlie Piezoelectric effect
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