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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국해양대학교 Korea Maritime University |
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연구책임자 | 양민 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2004-05 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국학술진흥재단 Korea Research Foundation |
등록번호 | TRKO200900070333 |
과제고유번호 | 1350007873 |
사업명 | 지역대학우수과학자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | GaN.HVPE.Free-standing.GaN Selective Growth.Si-substrate.질화물반도체.GaN.HVPE.Free-standing GaN.Selective Growth.Si-substrate.III-Nitrides semiconductors. |
HVPE 성장장치를 이용하여 선택적 성장 방법으로 후막 GaN 결정을 Si-wafer 위에 성장함에 있어서 결정 성장의 mechanism과 성장조건에 따른 결정의 광학적 특성을 연구
Si(111) 기판을 이용하여 GaN 결정을 선택적으로 성장하기 위하여 다음의 내용에 대한 연구를 실시하였다.
- HVPE 방법으로 저온에서 성장한 GaN 층의 버퍼층으로서의 역할 :
저온에서 성장한 GaN 층의 버퍼층으로서의 역할을 알아보기 위해서 사파이어 기판을 이용하였으며 동시에 고온 성장 GaN의 최적 성장 조건을 확인하였다.
Research on the optical characteristics and crystal growth mechanism of selectively grown thick-GaN crystals on Si-substrates using HVPE system
The experimental sequences for the selective growth of GaN on Si(111) substrates are as follows.
- GaN growth with GaN buffer grown by HVPE at low tem
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