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NTIS 바로가기주관연구기관 | 대불대학교 Daebul University |
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연구책임자 | 서용진 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2004-05 |
과제시작연도 | 2003 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국학술진흥재단 Korea Research Foundation |
등록번호 | TRKO200900070445 |
과제고유번호 | 1350015532 |
사업명 | 지역대학우수과학자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 초격자.Si계 광전자공학.SOI.3차원 집적회로.나노결정.에피택셜 성장.Superlattice.Si-based optoelectronics.SOI (Silicon-On-Insulator).3D-IC (3 Dimensional IC).Nano crystalline.Epitaxial growth. |
Si 계의 광전자공학(Si-based opto-electronics)를 구현하기 위해서는 광방출소자들이 Si으로 만들어져야 하며, 또한 모든 광학 및 전자 소자 성분들이 Si 집적 회로 제조공정과 호환되어 Si 기판 위에 제조될 수 있어야 할 것이다. 본 논문에서는 실리콘계의 광전자 소자 개발을 향한 가능성을 조사하기 위해 UHV (ultrahigh vacuum)-CVD (chemical vapor deposition) 시스템으로 형성된 다층의 나노결정 (nano-crystalline) Si-O 초격자의 구조적인 특성과 전기적 특성
In this work, the monolayers of oxygen atoms sandwitched between the adjacent epitaxial silicon layers fabricated in order to investigate the possible replacement of silicon-on-insulator (SOI) for nano-CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) device of future generation. This multi-layer Si-O
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