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NTIS 바로가기주관연구기관 | 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology |
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연구책임자 | 이종람 |
참여연구자 | 한상윤 , 김기홍 , 최경진 , 김종규 , 장호원 , 전창민 , 이광호 , 백정민 , 김수영 , 김화경 , 박윤정 |
보고서유형 | 2단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2002-09 |
과제시작연도 | 2002 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200900072883 |
과제고유번호 | 1350004254 |
사업명 | 국가지정연구실사업 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | 화합물 반도체 금속전극.Fermi level pinning.극소 접촉저항.거대 Schottky barrier height.화합물 반도체 소자.Compound semiconductor metal contact.Fermi level pinning.contact resistivity.Schottky barrier height.Compound semiconductor device. |
본 연구는 물리적, 화학적 표면처리 등 다양한 접근 방법을 시도하여 화합물 반도체(GaN, SiC, GaAs)의 표면 potential을 조절하고 금속 전극 특성을 극대화하여 이를 적용한 소자 (전자소자, 광소자)의 성능을 향상시키고자 하는 기술이다.
본 연구단은 화학적 표면처리 방법을 새롭게 제안하여 p-GaN에서 마의 장벽으로 여겨왔던 10
1st Stage (2 years)
. Objectives
- Establish the process technologies for very low-resistance Ohmic contacts and very high-barrier Schottky contacts on AlGaAs, GaN, AlGaN and SiC
- Comparing with conventional contact properties,
(i) Develop the non-alloyed contacts with very low resistan
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