초록 ▼

1.연구개발목표
재료의 비정상을 이해하고, 이를 토대로 공학적으로 유용한 재료 미세조직을 디자인 하는 것이 본 연구의 목표,세부 목표로 비정상입성장의 edge energy 역할의 이해, 금속계의 비정사입성장에 hrks한 이해, 전화 편석과 공간전하 등에 의한 계면 특성 변화 이해, 박막 성장 시 전하를 띤 입자의 질량분석,미캐니즘 규명을 통한 박막 미세구조 연구가 있다.
2. 연구성과
- 비정상입성장을 이용한 압전 단결절 제조
- 비정상입성장에 대한 전산모사와 실험 결과 간의 상호 feed back
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1.연구개발목표
재료의 비정상을 이해하고, 이를 토대로 공학적으로 유용한 재료 미세조직을 디자인 하는 것이 본 연구의 목표,세부 목표로 비정상입성장의 edge energy 역할의 이해, 금속계의 비정사입성장에 hrks한 이해, 전화 편석과 공간전하 등에 의한 계면 특성 변화 이해, 박막 성장 시 전하를 띤 입자의 질량분석,미캐니즘 규명을 통한 박막 미세구조 연구가 있다.
2. 연구성과
- 비정상입성장을 이용한 압전 단결절 제조
- 비정상입성장에 대한 전산모사와 실험 결과 간의 상호 feed back
- 2의 결과를 이용한 edge energy의 이해
- 알루미나와 티탄산바륨의 계면 특성에 미치는 전장과 첨가물들의 효과에 대한 시험적 고찰과 모델링
- charge cluster model에 대한 전산모사와 이를 통한 이론적 검증
- charge cluster model을 규명하기 위한 TOF를 통한 실험적 검증
-charge cluster model을 응용한 나노분말의 제조 및 quantum dot 제조

Abstract

1.Understanding and Control Abnormal Grain Growth(AGG).
2.Fabrication of Single Crystals and Microstructure Design.
3.Identification of Interface Characteristics: Charge Segregation.
4.Understanding of Microstructure Evolution of Thin Film Materials.

목차 Contents

• Part I.벌크 재료의 미세구조...14
• 제1장 소개...14
• 제2장 기술 현황...15
• 제3장 방법,결과 및 토의...16
• 제1절 비정상 입성장의 새로운 기구...16
• 제2절 비정상 입성장을 이용한 단결정 제조...27
• 제3절 입계 이동에 미치는 전기장의 효과...29
• 제4장 결론...30
• 제5장 주요기여사항...31
• 참고문헌...53
• Part II. 박막 성장에서의 전하를 띤 클러스터에 관한 연구...57
• 제1장 서론...57
• 제2장 박막 공정에서 전하를 띤 클러스터 생성...61
• 제1절 다이아몬드의 기상 합성...61
• 제2절 실리콘 화학기상증착(CVD)...67
• 제3절 지르코니아(Zirconia)화학기상증착(CVD)...69
• 제4절 금속의 열-증발(thermal evaporation)...70
• 제3장 전하를 띤 클러스터의 증착 거동...76
• 제1절 선택적 증착(selective deposition)...76
• 제2절 기판의 영향...77
• 제3절 클러스터 크기의 영향...78
• 제4절 비정질(amorphous)상의 증착...80
• 제5절 전하를 띤 클러스터에 의한 나노선(nanowire)또는 나노튜브(nanotube)의 성장...81
• 제4장 용액 내 결정 성장에서 전하를 띤 클러스터의 생성...84
• 제5장 맺음말...86
• 참고문헌...111