초록 ▼

1. 후막 리소그라피를 이용한 미세라인 형섣기술 구축
- Photoimageable & photoetchable 공정 조건 set-up: 상용 페이스트별 노광, 현상 및 에칭조건 선정
- Etched, printed 및 photoimaged 도선 형상, 해상도, 전송특성 등 비교 평가
- 상용 photoimageable paste를 이용한 다층화 공정기술 개발 : Series & Parallel Process
2. 내장형 수동 소자 라이브러리 개발
- LTCC 적층공정과의 융합을 이용한 내장형 L, C 라

1. 후막 리소그라피를 이용한 미세라인 형섣기술 구축
- Photoimageable & photoetchable 공정 조건 set-up: 상용 페이스트별 노광, 현상 및 에칭조건 선정
- Etched, printed 및 photoimaged 도선 형상, 해상도, 전송특성 등 비교 평가
- 상용 photoimageable paste를 이용한 다층화 공정기술 개발 : Series & Parallel Process
2. 내장형 수동 소자 라이브러리 개발
- LTCC 적층공정과의 융합을 이용한 내장형 L, C 라이브러리 구축
- 캐패시터 : low C 0.67$\sim$22.7pF, high C 29.9~145.6pF library 확보
- 40$\sim$60$\mu{m}$ 미세라인을 이용하여 초소형 planar 인덕터를 제작, 1.33$\sim$71.3nH의 inductance 확보
3. 고주파 신호 전달 특성측정 기술 개발
- Microstrip, ring $\&$ series gap 공진기 등을 이용한 기판 및 전송선로 시스템의 신호전달 특성 측정 기술 set-up 완료
- 스크린 인쇄와 후막 리소그라피로 제작된 전송선로 시스템의 고주파 전송 특성 비교평가
4. 마이크로파 대역 분포 소자 개발
- 후막 리소그라피의 패턴 정밀도를 활용, hair-pin 타입 BPF, LMDS 대역용 microstrip duplexer 설계, 제작 및 평가
- Photoetching을 이용, 28GHz 대역 BPF 제작 및 평가
5. 감광성 페이스트 제조 기술 구축
- LTCC와 수축율이 매칭되고, 상용 페이스트 이상의 해상도를 보이는 동시소성용 photoimageable Ag 페이스트 개발: 소성 후 Line/Space=14/19$\mu{m}$의 미세라인이 제작 가능한 조성 확보
- 유전율 7.8인 유전체 분말 적용, 전도체 페이스트용 고분자 조성을 보완 적용하여, 소성후 비아 사이즈 50$\mu{m}$ 가능한 조성 확보

Abstract ▼

This report shows the results of research for the development of core technology for microwave module using thick film lithography process. Thick film lithography is a new process in which some photolithographical steps such as exposure and development are added to conventional thick film process us

This report shows the results of research for the development of core technology for microwave module using thick film lithography process. Thick film lithography is a new process in which some photolithographical steps such as exposure and development are added to conventional thick film process using screen printing. In this research, the technologies for the formation of fine line and space, the combination with multi-layer process, the application for embedded passives, the application for some distributed components, and the fabrication of photosensitive silve and dielectric pastes were developed.
First, the processing conditions for photoimageable and photoetchable process were set up using several commercial paste. Series and parallel multi-layering processes combined with thick film lithography were developed and applied to the fabrication of embedded passives and distributed components.

목차 Contents

• 제1장 연구개발 과제의 개요...10
• 제1절 연구개발의 필요성...10
• 제2절 연구개발의 목표 및 범위...15
• 제2장 국내외 기술개발 현황...21
• 제1절 국외의 연구개발 현황...21
• 제2절 국내의 연구개발 현황...24
• 제3장 연구개발 수행 내용 및 결과...29
• 제1절 후막 미세라인 형성 기술 : I. 포토이미징...29
• 제2절 후막 미세라인 형성 기술 : II. 포토에칭...62
• 제3절 적층공정과의 결합 기술 개발 : Series & Parallel 공정...81
• 제4절 내장형 미세라인 인덕터(L) 개발...89
• 제5절 내장형 고정밀 캐패시터(C) 개발...101
• 제6절 고주파 신호전달을 이용한 기판재료 특성평가 기술...108
• 제7절 마이크로파 대역 분포소자 개발...133
• 제8절 감광성 전도체 (Ag) 페이스트 개발...152
• 제9절 감광성 유전체 (LTCC) 페이스트 개발...184
• 제4장 목표달성도 및 관련 분야에의 기여도...196
• 제1절 계획대비 목표달성도...196
• 제2절 관련분야에의 기여도...200
• 제5장 연구개발 결과의 활용계획...201
• 제1절 추가연구의 필요성...201
• 제2절 타 연구에의 응용...205
• 제3절 기업화 추진방안...205
• 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보...206
• 제7장 참고문헌...211