초록 ▼

○ 에피탁시
- Ce-silicate, ZrN 등의 중간물질(template)을 형성하여 MBE 및 MOVPE법으로 GaN 박막성장을 시도하였음.
- Volmer-Weber mode에 의한 입성장, 중간물질의 single crystal 화 등이 미진하여 중간 물질을 이용한 에피탁시에는 어려움이 있었음.
- 고온 버퍼층 기반의 GaN/AlGaN superlattice, thin InN interlayer, 저온 AlN 중간층 등을 도입하여 RF 전력소자 제작
을 위한 AlGaN/GaN heterostruct

○ 에피탁시
- Ce-silicate, ZrN 등의 중간물질(template)을 형성하여 MBE 및 MOVPE법으로 GaN 박막성장을 시도하였음.
- Volmer-Weber mode에 의한 입성장, 중간물질의 single crystal 화 등이 미진하여 중간 물질을 이용한 에피탁시에는 어려움이 있었음.
- 고온 버퍼층 기반의 GaN/AlGaN superlattice, thin InN interlayer, 저온 AlN 중간층 등을 도입하여 RF 전력소자 제작
을 위한 AlGaN/GaN heterostructure 구조 성장을 하였으며, 개발된 최고 결과는 다음과 같음.
· carrier 밀도: 1.33×10$^1^3$/cm$^2$, 이동도:1070 cm$^2$/V·sec
* FWHM of (002)
○ 소자 제작
- Single 및 multi finger gate GaN HEMT를 설계.
- Etching, Ohmic/Schottky contact, passivation, T-gate 형성, via hole, field-plate 등 GaN 소자용 단위공정 개발.
- 나노소자특화팹센터의 foundry line을 활용한 소자 일괄공정을 개발하였으며, 개발된 소자의 특성은 다음과 같음.
· 동작주파수: 3.5 GHz, 출력: 6.7W
· Transconductance: 200 mS/mm, 항복전압: >300V
· drain-source 누설전류: 0.27 mA
○ 전력증폭기 구현
- load-source pull 측정을 통한 소자평가 입출력 임피던스 매칭, 대신호 및 소신호 모델링.
- DC 바이어스 설계, I/O matching 등을 통한 50W급 PA 구현
- Doherty amp., digital pre-distortion 등을 도입한 전력증폭기 설계 구현
· Gain @Psat: 11.1dB, Drain efficiency@CW, Psat: 60%
· EVM 2%

목차 Contents

• 표지 ...1
• 제출문 ...2
• 초록 ...3
• 목차 ...20
• 제1장 서론 ...21
• 제1절 개발기술의 중요성 및 필요성 ...21
• 제2절 국내.외 관련 기술의 현황 ...24
• 제3절 기술개발 시 예상되는 기술적.경제적 파급 효과 ...27
• 제2장 기술개발 내용 및 방법 ...30
• 제1절 최종 목표 및 평가 방법 ...30
• 제2절 단계 목표 및 평가 방법 ...30
• 제3절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ...32
• 제3장 결과 및 사업화 계획 ...37
• 제1절 연구개발 최종 결과 ...37
• 제2절 연구개발 추진 체계 ...199
• 제3절 시장 현황 및 사업화 전망 ...202