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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전자부품연구원 Korean Electronics Technology Institute |
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연구책임자 | 한철구 |
참여연구자 | 이준호 , 최홍구 , 노정현 , 송홍주 , 이우성 , 유찬세 , 김동수 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2009-11 |
과제시작연도 | 2008 |
주관부처 | 지식경제부 |
사업 관리 기관 | 한국산업기술평가원 |
등록번호 | TRKO201000006938 |
과제고유번호 | 1415089398 |
사업명 | 차세대컨버전스전략기술개발 |
DB 구축일자 | 2015-01-08 |
키워드 | GaN-on-Si(혹은 GaN on Si).epitaxy.GaN HEMT(혹은 GaN.HFET).전력증폭기(power amplifier.PA). |
○ 에피탁시
- Ce-silicate, ZrN 등의 중간물질(template)을 형성하여 MBE 및 MOVPE법으로 GaN 박막성장을 시도하였음.
- Volmer-Weber mode에 의한 입성장, 중간물질의 single crystal 화 등이 미진하여 중간 물질을 이용한 에피탁시에는 어려움이 있었음.
- 고온 버퍼층 기반의 GaN/AlGaN superlattice, thin InN interlayer, 저온 AlN 중간층 등을 도입하여 RF 전력소자 제작
을 위한 AlGaN/GaN heterostruct
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