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NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산과학기술대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 권순용 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-04 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201000012842 |
과제고유번호 | 1345105199 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 그래핀.에피택시.반도성.전자소자.초고진공화학기상증착법(UHV-CVD).변온탐침주사터널링현미경(VT-STM).Graphene.Epitaxy.Growth Mechanism.Electronic Device.Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHV-CVD).Variable-Temperature Scanning Tunneling Microscopy (VT-STM). |
본 연구개발의 최종목표는 전자소자용 고품위 그래핀 에피성장 기술의 확립이며, 이를 위하여 초고진공화학기상증착법(UHV-CVD) 및 변온탐침주사터널링현미경(VT-STM)을 이용한 금속 및 반도체 기판에서의 성장변수에 따른 대형화 그래핀 성장조건의 확립 및 그래핀 성장 실시간 관찰을 통한 성장제어 기술을 확보하는 것이 핵심내용이다.
이러한 최종목표를 이루기 위해 본 연구에서는 다음의 세부사항에 관한 연구를 수행하였다. 1) UHV-CVD을 이용한 그래핀 에피택시 조건 확립 및 고품위 그래핀 제조를 위한 그래핀 초기 핵생성에 관한
The objective of this project is to develop process methodologies for large-scale synthesis of identical, controllable, high-quality graphene films on metal and semiconducting substrates by ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHV-CVD) and to obtain in-situ controllability of graphene epitax
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