초록 ▼

$\bigcirc$ Metal-Insulator-Semiconductor구조의 나노 박막 평가 체계의 응용. 구체적으로
Capacitance-Voltage Measurement를 통한 비휘발성 메모리 특성의 존재 유무를 평가함.
$\bigcirc$ 비휘발성 메모리 특성이 확인된 시료에 대한 Retention특성을 측정함
$\bigcirc$ 고유전율 나노박막을 통한 전자빔 조사와 비휘발성 메모리 특성을 확인하여 연구 대상 물질 후보군 선정
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$\bigcirc$ Metal-Insulator-Semiconductor구조의 나노 박막 평가 체계의 응용. 구체적으로
Capacitance-Voltage Measurement를 통한 비휘발성 메모리 특성의 존재 유무를 평가함.
$\bigcirc$ 비휘발성 메모리 특성이 확인된 시료에 대한 Retention특성을 측정함
$\bigcirc$ 고유전율 나노박막을 통한 전자빔 조사와 비휘발성 메모리 특성을 확인하여 연구 대상 물질 후보군 선정
$\bigcirc$ 메모리 특성이 확인된 나노박막소자에 대한 Retention측정을 통한 응용 가능성을 확인함.
$\bigcirc$ 비휘발성 메모리의 비휘발성 메모리 작동 메커니즘에 대해 이해하고자 함.

Abstract ▼

The current research aims to developing simplified fabrication of nano-floating gate memory using electron beam irradiation. The main strategy is to combined the nanoscale high-k dielectrics with highly-accelerated electron beams, unlike the conventional approach involving the multilayered nanolamin

The current research aims to developing simplified fabrication of nano-floating gate memory using electron beam irradiation. The main strategy is to combined the nanoscale high-k dielectrics with highly-accelerated electron beams, unlike the conventional approach involving the multilayered nanolaminates of two dissimilar materials. This work tested a variety of high-k dielectric layers such as $Al_2O_3$, $ZrO_2$, and $HfO_2$. Among those candidates, the $Al_2O_3$ thin films exhibited highly superior memory characteristics
compare to the preexisting nano-floating gate memories where charge-trapped components are incorporated into the robust high-k dielectrics. The optimized $Al_2O_3$ thin films exhibit long-lasting retention features: the programming information is maintained approximately to 75% compared to the initial setting value and the erasing information does not change with respect to time. Furthermore, the irradiated $Al_2O_3$ thin films exhibits the highest trap density of $7\times10^{12}$ traps/$cm^2$. Such outstanding device performances can be applied to the fabrication steps required of nano-floating gate memories. The significance of simplified electron irradiation can enhance the productivity of NFGMs, leading to technology-competitiveness. Furthermore, upon confirming the effectiveness of electron irradiation in thin film transistors, the meaning and value of electron irradiation will be maximized leading to the establishment of nano-floating gate memories in the 21th Korean economic field.

목차 Contents

• 표지...1
• 제출문...3
• 보고서 요약서...4
• 요약문...5
• Summary...6
• 목차...8
• 제1장 연구개발과제의 개요...9
• 가. 연구개발대상 기술의 경제적ㆍ산업적 중요성 및 연구개발의 필요성...9
• 제2장 국내외 기술개발 현황...12
• ■ 국외 현황...12
• ■ 국내 현황...12
• ■ 관련 연구의 응용 가능성...13
• 제3장 연구개발수행 내용 및 결과...15
• 가. 최종 목표...15
• 나. 당해 단계목표 및 달성도...16
• 다. 세부연구목표별 주요연구내용 및 결과...17
• 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ...24
• 가. 당해 단계목표 및 달성...24
• 나. 기여도...24
• 제5장 연구개발결과의 활용계획...26
• 가. 연구개발결과의 활용방안...26
• 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보...27
• 제7장 참고문헌...28