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NTIS 바로가기주관연구기관 | 고려대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 양지운 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-04 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201000013949 |
과제고유번호 | 1345104457 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 나노 스케일 CMOS.집적회로.국소적 가변성.진성랜덤 변수.통계적 회로 설계.소자 모델링.압축모델.전산모사.제조공정을 위한 설계.Nanoscale CMOS.VLSI.local variability.intrinsic random variation.statistical circuit design.device modeling.compact model.simulation.DFM. |
차세대 나노 크기 CMOS 소자(transistor)를 대규모 집적한 반도체 제품 제작에 있어 진성 랜덤 변수 (intrinsic random variation)가 소자(transistor) 특성의 가변성(variability)에 미치는 영향을 측정과 전산모사(simulation)를 통해 신뢰성 있게 모델링하고 그 소자들을 집적한 회로(circuit) 동작의 응답(output)을 통계적으로 전산모사(simulation)하는 알고리즘을 개발하여 집적회로(VLSI) 설계에 도입함으로써 그 나노 크기 CMOS 소자의 집적회로(VLSI)로
Variability due to intrinsic parameter fluctuation will be a major challenge in scaled down CMOS devices to nanometer regime. Thus, the reliable prediction of variability for the devices is essential and furthermore the impact of the variability on CMOS circuit should be analyzed to ensure higher pe
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