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NTIS 바로가기주관연구기관 | 제주대학교 Cheju National University |
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연구책임자 | 김상재 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-02 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201000013977 |
과제고유번호 | 1345103440 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 3 차원 가공.집속이온빔가공.고유조셉슨접합 (효과).나노주기 이방성 적층재료.차세대 전자소자.단전자 턴넬소자.3-dimensional patterning method.focused-ion-beam etching.intrinsic Josephson effect(junctions).nano-periodic anisotropic materials.next generation devices.single electron tunneling devices. |
현재 직면한 차세대 전자소자개발의 가장 큰 장벽 중의 하나는 고집적화에 의한 소자의 열발산 및 히팅현상에 의한 문제이다. 이러한 문제를 해결 할 수 있는 유일한 방안으로써 본 연구에서는 나노주기의 적층구조를 이용한 새로운 개념의 입체적인 차세대 전자소자를 제안한다. 초전도 단전자메모리는 초전도의 고속 스위칭 및 초저소비전력 특성과 단전자턴넬소자의 고집적성을 동시에 가지는 차세대 전자소자 중의 하나이다. 또한 이 소자는, 현재 개발이 활발히 진행되고 있는 초고속 성능의 단일자속양자논리회로와 함께 사용하면 차세대 대형계산기 등의 요구를
The purpose of this project was the development of next generation devices including single electron tunneling devices using stacking nano-periodic layered structures in high-Tc and low-Tc superconducting single crystal. We have investigated the physical mechanisim of tunneling phenomenon in micro-
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