초록

주요핵심내용:
Ⅰ. 연구 개발 완료된 MEMS용 SiO2, SiN, Si 등 세라믹 이종층의 직접 접합 적층 기술 개발.
Ⅱ. Cleaning 공정 및 열처리 방법 및 공정 최적화 및 여러 가지 선형열처리를 포함한 공정개발.
Ⅲ. IR 분석 시스템의 자체개발 및 관련 장비의 개발하고 최적공정조건 확인.

Abstract ▼

Scope of Research
Ⅰ. SiO/SiO, SiN/SiN, Si/Si homogeneous SOI wafer pair direct bonding process and characterization.
Ⅱ. Optimizing the direct bonding process, especially cleaning process and annealing process, including newly proposed fast lineal annealing (FLA).
Ⅲ. Investigating the optimu

Scope of Research
Ⅰ. SiO/SiO, SiN/SiN, Si/Si homogeneous SOI wafer pair direct bonding process and characterization.
Ⅱ. Optimizing the direct bonding process, especially cleaning process and annealing process, including newly proposed fast lineal annealing (FLA).
Ⅲ. Investigating the optimum bonding strength using IR camera.

목차 Contents

• 표지...1
• 제출문...5
• 요약문...6
• SUMMARY...9
• 목차...12
• CONTENTS...14
• 표목차...16
• 그림목차...17
• 제1장 서론...18
• 제1절 SOI의 중요성...18
• 1. SOI(Silicon On Insulator)의 정의 및 특성...18
• 2. SOI의 국내외 동향...18
• 제2절 SOI의 제조 방법...20
• 1. SIMOX(Seperated by implanted oxygen)법...20
• 2. 실리콘 직접접합법(silicon wafer direct bonding)...20
• 제3절 연구 내용...21
• 1. 이종 접합된 SOI 기판의 최적 접합강도 평가...21
• 2. 선형 가열기를 이용한 SOI Voids 제거...23
• 제2장 연구 방법...24
• 제1절 전처리 공정...24
• 1. 전처리 기술...24
• 2. 정렬 기술...25
• 제2절 열처리 공정...26
• 1. 전기로(conventional furnace annealing)...26
• 2. RTP(rapid thermal process)...27
• 3. FLA(fast linear annealing)...28
• 제3절 분석 방법...29
• 1. IR(infra red)를 사용한 접합률 측정...29
• 2. 면도칼 시험법을 사용한 접합 강도측정...30
• 3. 사점굽힘 시험법을 사용한 접합 강도측정...31
• 4. 전산 모사를 통한 선형 열처리 공정에서의 온도구배 추정...32
• 제3장 연구 결과...38
• 제1절 열처리 방법에 따른 이종 SOI 접합 강도...38
• 1. 열처리 방법에 따른 접합 면적...38
• 2. 열처리 방법에 따른 접합 강도...40
• 제2절 선형가열법에 의한 보이드 제거...42
• 1. FLA에서 보이드 수축...42
• 2. 전산모사에 의한 FLA 해석...44
• 제4장 연구 성과 및 활용 방안...47
• 제1절 연구 성과...47
• 제2절 활용 방안...48