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[국가R&D연구보고서] 수요자중심 화합물반도체 부품산업 기반강화사업
Establishment of Basis for Compound Semiconductor Components Technology Based on Industrial Demand 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2010-12
과제시작연도 2010
주관부처 지식경제부
과제관리전문기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
등록번호 TRKO201100004222
과제고유번호 1415113293
DB 구축일자 2013-04-18
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201100004222

초록 ▼

본 연구는 초고주파부품 산업 활성화를 위해 화합물반도체 기반의 초고주파부품 산업화 허브구축을 통한 중소업체 간의 정보교류를 활성화하고 초고주파부품의 산업 수요 지향적 상요부품 개발 체계을 구성하여 국내 초고주파 부품산업의 경쟁력 강화에 기여하기 위한 연구내용 및 범위는 다음과 같다.
- 수요자 중심 초고주파부품 산업화 HUB 구축
- 화합물반도체 기반의 상용화 품목 발굴
- 1~1OGHz 초고주파부품 library 고도화를 통한 시제품 개발
- Pilot Production 기술 개발
● 산업체의 신규 시

Abstract ▼

The contents and scope of this study is listed below:
- Establishment of the hub for the industrialization of demand-oriented high frequency components
- Pursuit for the prospective CS components for commercialization
- Prototyping of I-lOG Hz components through library improvement
- Est

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제출문 ... 6
  • 요약문 ... 8
  • ABSTRACT ... 12
  • CONTENTS ... 16
  • TABLES ... 18
  • FIGURES ... 20
  • 목차 ... 22
  • 표목차 ... 24
  • 그림목차 ... 26
  • 제1장 서론 ... 28
  • 제1절 연구의 필요성 ... 30
  • 제2절 연구의 목적 ... 31
  • 제2장 S-band GaN 전력 소자 개발 ... 32
  • 제1절 S-밴드 GaN 전력소자 제작 ... 34
  • 제2절 S-밴드 GaN 전력소자 측정 ... 44
  • 제3절 결론 ... 64
  • 제3장 60 GHz GaAs BPF 개발 ... 66
  • 제1절 60GHz p2p system용 GaAs BPF 개발 ... 68
  • 제2절 60GHz 레이더용 GaAs BPF 개발 ... 79
  • 제4장 결론 ... 84
  • 약어표 ... 88
  • 기술문서 구성표 ... 90
  • 끝페이지 ... 95

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참고문헌 (25)

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