초록 ▼

1. 최종목표
- 금속 Melt법에 의한 GaN 분말제조 공정 개발 GaN 반응조건의 확립, GaN 분말 회수 공정 확립
- 고품질의 GaN 분말 제조순도 99.9% 이상, 결정화도 98%이상, 회수율 90%이상 GaN 분말제조
2. 개발내용 및 결과
Bi를 촉매로 이용하여 금속 Ga을 직접 혼합하여 melting 법으로 900-$1000^{\circ}C$에서 암모니아 가스와 반응시켜 GaN 분말을 제조한 결과
1. 기존의 제조공정에 비해 빠르고 저렴하면서 결정성이 높은 GaN 분말을

1. 최종목표
- 금속 Melt법에 의한 GaN 분말제조 공정 개발 GaN 반응조건의 확립, GaN 분말 회수 공정 확립
- 고품질의 GaN 분말 제조순도 99.9% 이상, 결정화도 98%이상, 회수율 90%이상 GaN 분말제조
2. 개발내용 및 결과
Bi를 촉매로 이용하여 금속 Ga을 직접 혼합하여 melting 법으로 900-$1000^{\circ}C$에서 암모니아 가스와 반응시켜 GaN 분말을 제조한 결과
1. 기존의 제조공정에 비해 빠르고 저렴하면서 결정성이 높은 GaN 분말을 제조할 수 있었다.
2. Ga2O3 산화물이 일부 포함되어 있었으나 $1000^{\circ}C$에서 제조된 GaN의 경우 순도가 99.5wt%이었다.
3. 분말의 제조 수율이 93wt%로 매우 높게 얻어져 매우 생산비용을 크게 줄일 수 있는 잇점이 있었다.
3. 사업성과
○ 기술적 성과
- 본 연구에서 사용한 GaN 분말제조 공정은 기존 장치에 비해 경제적이며 반응 시간도 짧아 GaN 제조시 많은 잇점이 있을 것으로 보임.
- 국내외적으로 연구결과와 비교해 볼 때 결정성, 순도, 수율 등이 매우 좋은 기술적 결과를 얻음.
○ 경제적 성과
- 특히 분말의 제조 수율이 93wt%로 획기적으로 개선되어 상업 제품 생산시 제조비용의 절감과 이로 인한 가격 경쟁력이 뛰어날 것으로 보임..
- 또한 대부분의 GaN 분말은 시약급으로 시판되고 있는데 매우 고가인데다가 결정성도 좋지 않아 시장진출 잠재력이 매우 큼.
4. 향후추진계획
- 연구수행결과 다량의 분말을 얻기 위해서는 반응로의 내부구조와 반응방법을 Ga와 Bi의 특성에 맞게 재설계할 필요가 있어 이를 개선하고자 함.
- 또한 보다 고품질의 GaN 분말을 얻기 위하여 제조 공정 변수를 확장하여 정밀히 제어할 계획이다.
- 특허출원과 시제품 생산화를 위한 pilot plant 설계 준비할 예정임.

목차 Contents

• 개발결과의견서 ...1
• 최종보고요약서(초록) ...2
• 목차 ...5
• 제 1 장 서론 ...5
• 제 2 장 과제개발 내용 및 방법 ...6
• 제 3 장 사업성과 ...8
• 제 1 절 연구결과 ...8
• 제 2 절 경제적 성과 ...14
• 제 3 절 기타 성과 ...14
• 제 4 장 결론...14