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NTIS 바로가기주관연구기관 | 단국대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 구용서 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-06 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201200002702 |
과제고유번호 | 1345119940 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
키워드 | 정전기.보호소자.사이리스터.반도체 소자.집적회로.신뢰성.래치업.Electrostatic Discharge(ESD).ESD Protection Device.Thyristor.Semiconductor.Integrated Circuit(IC).Reliability.Latch-up.Human Body Model(HBM).TLP. |
최근 나노급 이하의 공정기술의 진보와 고전압 시스템의 집적화로 기존 정전기 보호소자의 문제가 개선된 새로운 방식의 ESD 보호소자의 구현 기술이 요구되고 있음. 본 연구는 나노 공정에 기반한 반도체 집적회로와 고전압 공정에 기반한 집적회로를 위한 ESD 보호소자의 개발을 주요 목표로 하며 세부적으로 다음과 같은 특성을 갖는 소자 구현 기술개발을 목적으로 함.
▸ 나노 공정 기반 저전압 집적회로용 ESD 보호소자 개발
· CDM에 적합한 빠른 턴온 속도와 낮은 트리거 전압을 갖는 ESD 보호소자 구현 기술
· 낮은 누
Recently, as devices are scaled down to nano-scale regime and high voltage systems are integrated to system-on chip(SoC), novel ESD portection devices are required. The main purpose of the research is to develop the novel ESD protection devices for nanoscale low voltage IC and high voltage IC. The s
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