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NTIS 바로가기주관연구기관 | 동국대학교 DongGuk University |
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연구책임자 | 조훈영 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-07 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201200002824 |
과제고유번호 | 1345114492 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
키워드 | 열여기 전자방출.광여기 전자방출.나노박막.전계발광소자.전하형 결함.계면결함.반도체.표면결함.결함분석법.나노물질.공간분포.소자.Thermally Stimulated Exoelectron Emission.Photoinduced Electron Emission.Nanostructure.Electroluminescence Devices.Charge Trap.Interface Trap.Semiconductors.Surface Trap.Defect Analysis. |
나노박막구조에서 광-열여기 전자방출 현상을 이용하여 정량화된 전하형 결함의 근원을 분석하여 발생 원인을 추적하고, 그들을 제어를 할 수 있는 분석방법을 개발하는 것이 연구목표이다. 또한 기존의 전기적 분석법들은 시료에 전극 및 기본소자 등을 제작하여야 하는 시료 파괴적 분석법이지만, 본 연구에서는 광-열여기 전자방출이나 전계광방출 현상과 같은 광-전자 물리학원리를 이용한 비파괴성 전하형 결함분석연구로서 차세대 활용 가능한 나노구조 및 광전소자에서 광범위한 결함확인과 나노소자성능 평가에 필수적이 될 것이다.
Analysis method capable of controlling charged traps is to be studied, by using thermally excited electron emission phenomena in nano-structures to accurately analyze the origin of the charged traps and then trace the origin. In addition, although the conventional electrical analysis is the destruct
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