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NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산대학교 University of Ulsan |
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연구책임자 | 김용수 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2011-06 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201200002966 |
과제고유번호 | 1345120893 |
사업명 | 일반연구자지원 |
DB 구축일자 | 2013-05-20 |
키워드 | 저항변화메모리.스위치 메카니즘.메모리 선택소자.펄스레이저증착법.산화물 이종접합 다이오드.계면 제어.두얼폴리 메탈게이트.전이금속산화물.고집적/고속 메모리.Resistive Switching memory.Switching mechanism.selective device.Pulsed Laser Deposition.Oxide heterojunction diode.interface control.dual poly-metal gate.transition metal oxide.high density/performance memory. |
저온 공정으로 구현가능한 산화물 접합 다이오도 및 쇼트키 베리어 다이오드(Schottky Barrier Diode)를 스위치 요소로 사용하여 고속 동작 특성을 유지한, 고집적 3차원 적층 저항 변화 메모리(ReRAM; Resistance RAM) 소자 기술을 개발 하는 것이 본 연구의 최종 목표이다. 세부적으로 1) CMOS-friendly material인 TiO2 및 CuOx에 대한 저항 변화 메모리 특성 확보, 2) ReRAM의 선택소자에 적합한 산화물 접합 다이오드 개발, 3) 가변 저항과 다이오드들 적층한 메모리 단위 셀
The goal of this proposal is to develop the high density, high speed 3-dimension memory device which is stacked vertically by ReRAM(Resistance Memory) using Schottky barrier diode(SBD) as faster switching element of unit cell and oxide hetrojunction diode(OHD) that deposited at low temperature. The
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