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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국광기술원 Korea Photonics Technology Institute |
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연구책임자 | 한명수 |
참여연구자 | 박영식 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2007-09 |
주관부처 | 산업자원부 |
사업 관리 기관 | 산업자원부 Korea Institute for Industrial Economics and Trade |
등록번호 | TRKO201200005018 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 멤스 프로브 유닛.실리콘 깊은식각.정렬정확도.파티클 제어.MEMS Probe unit.Si deep etching.alignment accuracy.particle control. |
- MEMS 프로브 유닛용 Si 웨이퍼의 깊은 식각 공정 기술을 실험계획법을 적용하고 지원기관의 장비 및 기술정보 제공, 교육훈련을 통해 성공적으로 지원하였음.
- Si 웨이퍼의 양면식각을 위한 마스크공정의 양면 정렬정확도를 기존의 ±2㎛ 이상에서 photo 공정 개선 및 식각조건 개선을 통해 ±1㎛ 수준으로 향상시켰음.
- 기존의 20㎛ 이상의 선폭에 대한 식각공정조건을 개선하여 15㎛ 선폭에 대해 Si 웨이퍼 두께 만큼 식각하는 공정조건을 확보하여 50:1의 aspect ratio를 구현함.
- Si 깊은 식각
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