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MEMS PROBE UNIT용 Si DEEP ETCHING 공정기술지원 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국광기술원
Korea Photonics Technology Institute
연구책임자 한명수
참여연구자 박영식
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2007-09
주관부처 산업자원부
사업 관리 기관 산업자원부
Korea Institute for Industrial Economics and Trade
등록번호 TRKO201200005018
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 멤스 프로브 유닛.실리콘 깊은식각.정렬정확도.파티클 제어.MEMS Probe unit.Si deep etching.alignment accuracy.particle control.

초록 ▼

- MEMS 프로브 유닛용 Si 웨이퍼의 깊은 식각 공정 기술을 실험계획법을 적용하고 지원기관의 장비 및 기술정보 제공, 교육훈련을 통해 성공적으로 지원하였음.
- Si 웨이퍼의 양면식각을 위한 마스크공정의 양면 정렬정확도를 기존의 ±2㎛ 이상에서 photo 공정 개선 및 식각조건 개선을 통해 ±1㎛ 수준으로 향상시켰음.
- 기존의 20㎛ 이상의 선폭에 대한 식각공정조건을 개선하여 15㎛ 선폭에 대해 Si 웨이퍼 두께 만큼 식각하는 공정조건을 확보하여 50:1의 aspect ratio를 구현함.
- Si 깊은 식각

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제출문 ... 2
  • 기술지원성과 요약서 ... 3
  • 기술지원성과 요약문 ... 4
  • 목차 ... 17
  • 제 1 장 사업의 개요 ... 18
  • 제 1 절 기술지원 필요성 ... 18
  • 제 2 절 기술지원 목표 ... 20
  • 제 3 절 기술지원 내용 ... 21
  • 제 2 장 국내외 기술현황 ... 22
  • 제 1 절 시장현황 ... 22
  • 제 2 절 국내ㆍ외 기술현황 ... 22
  • 제 3 장 기술지원 수행 내용 및 결과 ... 24
  • 제 1 절 기술지원 수행 ... 24
  • 제 2 절 기술지원 성과 ... 52
  • 제 4 장 목표달성도 및 관련 분야에의 기여도 ... 55
  • 제 1 절 목표달성도 ... 55
  • 제 2 절 관련 분야에의 기여도 ... 55
  • 제 5 장 기술지원결과의 활용계획 ... 57
  • 제 6 장 참고문헌 ... 58

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참고문헌 (25)

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