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MgZnO 산화물 반도체를 이용한 deep UV LED 개발
Development of deep UV LED by using MgZnO oxide semiconductors 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 경북대학교 산학협력단
연구책임자 이호성
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2012-04
과제시작연도 2011
주관부처 교육과학기술부
사업 관리 기관 한국연구재단
등록번호 TRKO201300010292
과제고유번호 1345152324
사업명 신진연구지원사업
DB 구축일자 2013-06-29

초록

o 이성분계 산화물 반도체 성장을 기반으로한 다성분계 MgZnO 산화물 반도체 성장 기술을 확보함. 기존 연구 방법과 차별화된 접근 방법으로 용액공정을 이용하여 ZnO 나노막대와 MgZnO 나노막대 성장 기술 개발하였고, p-ZnO, p-NiO의 성장 기술을 통한 LED 구조의 기초를 확보함.
o ZnO의 저온 성장과 Mg 도핑을 통한 밴드갭 엔지니어링, p-형 산화물 반도체의 성장 등 문제에 대한 체계적인 분석 및 해결방안을 제시. n-ZnO/p-NiO 이종접합구조를 이용한 UV LED 소자 개발의 발판을 마련함.
o

목차 Contents

  • 일반연구자지원사업 최종(결과)보고서 ... 1
  • 목차 ... 2
  • I. 연구결과 요약문 ... 3
  • II. 연구내용 및 결과 ... 4
  • 1. 연구과제의 개요 ... 4
  • 2. 국내외 기술개발 현황 ... 4
  • 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 5
  • 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ... 7
  • 5. 연구결과의 활용 계획 ... 7
  • 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 7
  • III. 연구성과 ... 8

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참고문헌 (25)

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