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NTIS 바로가기주관연구기관 | 재료연구소 Korea Institute of Materials Science |
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보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2012-01 |
과제시작연도 | 2011 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201300014543 |
과제고유번호 | 1415118571 |
사업명 | 재료연구소연구운영비지원 |
DB 구축일자 | 2014-01-13 |
키워드 | 그래핀.비정질 탄소 박막.촉매금속.투명전극.Graphene.Amorphous carbon.Catalytic metal.Transparent electrode. |
Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
촉매금속위에 고품위의 비정질 탄소박막을 증착하고 촉매금속위에서의 Graphene 성장 Mechanism을 탄소원자들의 Kinetic Factor 분석을 통해 규명하고자 하였다. 이러한 Mechanism 규명을 통해 저온, Catalyst-free 조건하에서도 Graphene을 합성할 수 있는 원천기술을 개발하고자 하였다.
Ⅳ. 연구개발결과
Filtered Vacuum Arc Source (FVAS)를 이용한 원자단위 Solid Carbon 증착과 촉매금속의 Annealing을 통해 Gr
Ⅲ. Results and Application Plan
Here, we present a simple and efficient method to synthesize graphene layers by amorphous carbon (a-C) film deposition from filtered vacuum arc system (FVAS).
The FVAS technique have some distinct advantages over the conventional evaporation or sputtering techni
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