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[국가R&D연구보고서] 3차원 T-ray 토모그래피 스캐너 개발
Development of Three-Dimensional T-ray Tomography Scanner 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전기연구원
Korea Electrotechnology Research Institute
연구책임자 김정일
참여연구자 김근주 , 전석기 , 김재홍 , 김재훈 , 진승오
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2012-12
과제시작연도 2012
주관부처 미래창조과학부
KA
과제관리전문기관 한국전기연구원
Korea Electrotechnology Research Institute
등록번호 TRKO201300032042
과제고유번호 1415122300
사업명 한국전기연구원연구운영비지원
DB 구축일자 2013-12-21
키워드 테라헤르츠파.토모그래피.배열 센서.렌즈.안테나.Terahertz wave.Tomography.Array Detector.Lens.Antenna.

초록

Ⅲ. 연구개발의 내용 및 범위
- 3차원 T-ray 토모그래피 스캐너용 0.2 THz파 Lens와 Antenna 개발
- 3차원 T-ray 토모그래피 스캐너용 0.2 THz파 Diode Detector 개발
- 고출력 THz파 신호원을 위한 0.2 THz파 MEMS 격자회로 개발
- 배열 센서 기반 3차원 T-ray 토모그래피 스캐너 개발

Abstract

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제출문 ... 2
  • 보고서 초록 ... 3
  • 요약문 ... 4
  • SUMMARY ... 6
  • CONTENTS ... 8
  • 목차 ... 10
  • 제1장 연구개발 과제의 개요 ... 12
  • 제2장 국내외 기술개발 현황 ... 14
  • 제1절 국내외 기술개발 현황 ... 14
  • 제2절 산업 동향 ... 15
  • 제3장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 16
  • 제1절 0.2 THz파 Lens와 Antenna 개발 ... 16
  • 1. 0.2 THz파 Toroid/Sphere Lens 설계/제작 ... 16
  • 2. 0.2 THz Antenna 3D EM 시뮬레이션 설계/Electroforming 제작 ... 19
  • 제2절 0.2 THz파 Diode Detector 개발 ... 22
  • 1. Nano-dot Schottky Diode 공정 Process 개발 ... 22
  • 2. Nano-dot Schottky Diode 제작/특성 측정 ... 26
  • 제3절 0.2 THz파 MEMS 격자회로 개발 ... 29
  • 1. 0.2 THz파 MEMS 격자회로 공정 Process 개발 ... 29
  • 2. 0.2 THz파 MEMS 격자회로 제작 ... 32
  • 제4절 배열 센서 기반 3차원 T-ray 토모그래피 스캐너 개발 ... 34
  • 1. 고속 토모그래피 영상을 위한 배열 센서 검출기 제작 ... 34
  • 2. N = 5 배열 센서 기반 3차원 T-ray 토모그래피 스캐너 개발 ... 36
  • 제4장 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ... 39
  • 제1절 목표 달성도 ... 39
  • 제2절 연구결과의 관련분야에의 기여도 ... 39
  • 제5장 연구개발 결과의 활용 계획 ... 40
  • 제6장 참고 문헌 ... 41

표/그림 (27)

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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