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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원(KAIST) |
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연구책임자 | 전덕영 |
참여연구자 | 조영훈 , 김성욱 , 한지연 , 권병화 , 서민원 , 김동혁 , 장동선 , 정상훈 , 김현기 , 박충현 , 이선균 , 임민호 , 이송매 , Isnaeni , 김제형 , 고영호 , 고석민 , 이규성 , 곽영은 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-12 |
과제시작연도 | 2010 |
주관부처 | 미래창조과학부 KA |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원(KAIST) |
등록번호 | TRKO201400000322 |
과제고유번호 | 1345136695 |
사업명 | 한국과학기술원연구운영비지원(0.5) |
DB 구축일자 | 2014-06-07 |
키워드 | white LED.wavelength converter.GaN etching technique. |
연구개요 (정의, 중요성, 연구목표 및 성과, 독특성 및 발견사항)
본 연구는 고체 백색 LED 발광 소자의 핵심 부품인 반도체 LED chip 양자 구조와 형광 물질에서의 에너지 효율을 향상시키기 위하여, (1) 새로운 개념 도입과 결함 구조 감소를 통하여 LED 광반도체 양자 구조 자체의 양자 효율을 증가시키고, (2) 기존의 무기 형광체 대신 유기 염료(organic dye)와 나노 양자점(quantum dot)의 복합 파장 전환층(hybrid wavelength converter layer)을 사용하여 형광 물질의 에너
The present research aims to improve the efficiency of semiconductor LED structure and wavelength converting materials. The internal quantum efficiency of semiconductor LED can be enhanced by introducing the new concepts such as the surface plasmon resonance (SPR) effect and resonance energy transfe
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