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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광운대학교 Kwangwoon University |
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연구책임자 | 박찬형 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-07 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201400007166 |
과제고유번호 | 1345188937 |
사업명 | 기본연구지원사업 |
DB 구축일자 | 2014-05-31 |
총 1년(2012.5.1.~2013.4.30.)의 연구기간 동안 저항스위칭 메모리(resistive switching random access memory, RRAM) 소자 내 전하 나르개(charge carrier)의 수송 현상(transport phenomena)과 단자전류잡음의 발생 기작에 관한 연구를 수행하였다. 하이닉스반도체에서 제작된 RRAM의 전류-전압 특성과 노이즈 특성으로부터 RRAM 내의 전하 나르개들의 이동현상에 관한 여러 모델들을 비교 분석하였다. 특히 TiOx로만 이루어진 단일층(single-layer) RR
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