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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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연구책임자 | 이인환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-11 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 교육과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국연구재단 |
등록번호 | TRKO201400008463 |
과제고유번호 | 1345172033 |
사업명 | 기본연구지원사업(유형I) |
DB 구축일자 | 2014-05-31 |
▣ MOCVD 법을 이용한 고품위 무분극 (11-20) GaN 에피 및 AlGaN/GaN 이종접합구조 성장
․kinetic Wulff plot 개념을 도입한 핵생성 조건 최적화 및 GaN 에피 박막의 결정성 향상
․stacking fault 제어를 위한 다중 buffer 층 도입 (stacking fault density: 5x104/cm-1)
․결함제어를 위한 ELOG 및 pendeo 기술 도입
․저온 AlGaN 성장 및 낮은 성장 속도 제어 (flow modulation epitaxy)<
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