초록 ▼

연구결과:
1. 전극 및 전기전자 들링 기술과 건식 전응사용인소쇄자 들기의술 유개연발성 및 신축성을 위한 초박막 기판의 제작 및 핸들링 기술과 건식 전사인쇄 개발
- 요 건철식 구 전조사 및인 쇄실 리기콘술 산개화발막 희생층을 이용한 인쇄용 초박막 기판 제조 및 건식 전사인쇄 기술 개발
- 유연성 및 신축성을 갖는 테이프 형태 전극 개발 (162%까지 신축 가능)
- 요철 구조 및 수용성 고분자를 이용한 안정적인 인쇄 전사 기술 및 테이프 형태의 ZnO 박막 트랜지스터 제작 (5 mm 이하의 굽힘 반지름)

연구결과:
1. 전극 및 전기전자 들링 기술과 건식 전응사용인소쇄자 들기의술 유개연발성 및 신축성을 위한 초박막 기판의 제작 및 핸들링 기술과 건식 전사인쇄 개발
- 요 건철식 구 전조사 및인 쇄실 리기콘술 산개화발막 희생층을 이용한 인쇄용 초박막 기판 제조 및 건식 전사인쇄 기술 개발
- 유연성 및 신축성을 갖는 테이프 형태 전극 개발 (162%까지 신축 가능)
- 요철 구조 및 수용성 고분자를 이용한 안정적인 인쇄 전사 기술 및 테이프 형태의 ZnO 박막 트랜지스터 제작 (5 mm 이하의 굽힘 반지름)
- 초박막 기판을 이용한 테이프형 플렉시블 Alq₃ 기반 OLED 소자 제작
- 5 가지 이상의 비평면 구조에 부착이 가능한 전극 및 전기전자소자 개발
2. 전사 가능한 초박막 형태의 실리콘 광전자소자 제작
- 단결정 실리콘 기반의 p⁺-i-n⁺ 다이오드 제작 및 전사 기술 개발
- 신축성과 유연성을 갖는 광센서 및 태양전지 등으로의 응용가능성 확인
3. 고유연성 능동형 전기전자소자용 초박막 트랜지스터
- 2 차원 그래핀 전극과 MoS₂ 활성층 이용하여 고유연성 트랜지스터 소자 개발
- 유연성과 신축성 소자를 위한 재료적 측면에서의 접근 가능성 확인
4. 후공정 배선 연결을 위한 기술 개발
- 기판과 고분자의 친수성/소수성 차이에 의한 고분자 자기정렬 기술 개발
- 균일한 패턴 형성이 가능해 대면적 소자의 금속 배선으로 응용 가능성을 확인

Abstract ▼

Result:
1. Handling ultrathin substrate and dry transfer printing for flexible and stretchable electrodes and electronic applications
-Fabrication and transfer printing method for printable ultrathin substrate using dimple structure and SiO₂ sacrificial layer on handling substrate.<

Result:
1. Handling ultrathin substrate and dry transfer printing for flexible and stretchable electrodes and electronic applications
-Fabrication and transfer printing method for printable ultrathin substrate using dimple structure and SiO₂ sacrificial layer on handling substrate.
-Development of sticker-type electrodes with flexibility and stretchability
-Transfer printing method in a stable manner using dimple structure on handling substrate and water soluble sacrificial layer to develop sticker-type ZnO TFT with bending radius of less than 5 mm
-Fabrication of sticker-type Alq3-based OLED device using ultrathin substrate
-Demonstration of attachable electrode and electronic devices on various curvilineal surfaces (more than 5 examples)
2. Printable photodiode array based on Si with ultrathin structure
-Fabrication and transfer printing of p⁺-i-n⁺ diode based on single crystal Si
-Possibility for stretchable/flexible photo-sensors and photovoltaic applications
3. Ultrathin transistor for highly flexible active-matrix electronic devices
-Highly flexible transistors using 2D graphene electrode and MoS₂ channel
-Possibility for flexible and stretchable electronic devices in materials aspect
4. Interconnection method after device fabrication
-Self-aligning method using hydrophilic/hydrophobic between polymer and substrate
-Regular pattern formation for large-area interconnection

목차 Contents

• 중견연구자지원사업(핵심연구) 최종보고서 ... 1
• 목차 ... 3
• 연구계획 요약문 ... 4
• 연구결과 요약문 ... 5
• 한글요약문 ... 5
• SUMMARY ... 6
• 연구내용 및 결과 ... 7
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 7
• 2. 국내외 기술개발 현황 ... 20
• 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 24
• 4. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 50
• 5. 연구결과의 활용계획 ... 56
• 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 57
• 7. 주관연구책임자 대표적 연구실적 ... 61
• 8. 참고문헌 ... 62
• 9. 연구성과 ... 64
• 10. 기타사항 ... 67
• [별첨1] 대표연구성과 ... 68
• 끝페이지 ... 70