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NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산대학교 University of Ulsan |
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보고서유형 | 3단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-05 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201400022149 |
과제고유번호 | 1345171950 |
사업명 | 방사선기기핵심기술개발 |
DB 구축일자 | 2014-11-10 |
키워드 | 화합물 반도체.방사선 검출기 소재.결정 성장 기술.단결정 성장 공정.대구경 단결정.Compound semiconductor.Radiation detector material.Crystal growth.Single crystal process.Large area single crystal. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201400022149 |
II-VI 화합물 반도체인 CdZnTe는 상온 방사선 계측기 소재로 다양한 방면에서 활용 및 응용이 되고 있지만, 국내에서는 결정 성장 기술 부족과 비용 부담 때문에 개발되고 있지 못한 실정이다. 본 연구과제의 상온 방사선 검출기용 CdMnTe 단결정 소재개발 기술의 최종연구 목표는 CdZnTe의 문제점을 해결하면서 저비용으로 고품질의 대구경 방사선 검출기 소재를 개발하는 것이다. 상온 방사선 검출기의 소재인 CdMnTe 단결정 성장 공정을 개발하였으며, doping 농도에 따른 대구경 CdMnTe 단결정 소재 기술을 확보하였다.
Ⅳ. Research Results
Development of CdMnTe single crystal for room temperature radiation detector is as follows.
1. Crystal growing technology
- Design and fabrication of the single crystal growing furnace
- CMT crystal growing
2. Techniques for physical characterization of CMT single
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