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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-05 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201400022190 |
과제고유번호 | 1345190451 |
사업명 | 대형연구시설공동이용활성화지원분야 |
DB 구축일자 | 2014-11-10 |
키워드 | 전자빔.산소 공극.저항변화.비휘발성 메모리.양자점.electron beam.Oxygen Vacancy.resistance switching.nonvolatile memory.quantum dot. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201400022190 |
Ⅳ. 연구개발결과
1. 물리적 증기 증착법으로 형성된 양자점이 포함된 산화물 박막에 전자빔 조사.
2. PL, CL, SEM, 및 TEM 분석을 통한 산화물 박막의 dislocation 및 defect density 확인.
3. I-V, C-V, TSC 및 DLTS 를 통한 전기적 특성 분석 및 결함 근원 확인.
4. 저항변화 특성 분석을 통한 전자빔 조사 최적화.
5. 금속 산화물 양자점과 ZnO계 박막으로 구현된 비휘잘성 저항변화 메모리 소자 제작 및 특성 확인.
Ⅳ. Degree of completion for research and development
1. Electron beam irradiation at the ZnO based metal-oxide thin film layer with the metal-oxide quantum dot by using physical vapor deposition method.
2. Identify the origin and the densities of dislocation and defect structure by PL, CL, SEM
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