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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2013-04 |
과제시작연도 | 2012 |
주관부처 | 중소기업청 Small and Medium Business Administration |
등록번호 | TRKO201400027997 |
과제고유번호 | 1425074681 |
사업명 | 산학연 공동기술개발 중점사업 |
DB 구축일자 | 2014-11-22 |
1. 최종목표
태양전지, 풍력발전의 고전압 스위칭 및 전압변환(DC-DC, DC-AC)에 사용되며, 차세대 Plug-in Hybrid Electric Vehicle(PHEV)와 전기자동차의 핵심부품인 SBD(Schottky Barrier Diode) 기술을 개발함
2. 개발내용 및 결과
- n-GaN, AlGaN/GaN 을 이용한 고품위 다이오드 제작
- AlGaN/GaN 구조와 박막의 조성변화, 금속패드 간격의 조정을 통하여 640V 이상의 항복전압 특성 확보
. n-GaN, AlGaN/GaN 구조에 따
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