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NTIS 바로가기주관연구기관 | 세종대학교 Sejone university |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-07 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201400028463 |
과제고유번호 | 9991002050 |
사업명 | 일반연구자지원(교육부) |
DB 구축일자 | 2014-11-22 |
키워드 | 그래핀.화학기상 성장.켜쌓기 성장.질화붕소.밴드갭.이종접합.반도체.계면.도핑.Graphene.Chemicla Vapor Deposition.Epitaxial Growth.Boron Nitride.Band Gap.Heterojunction.Semiconductor.Interface.Doping. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201400028463 |
연구결과
1차년도: 양질의 그래핀 성장 및 성장 매커니즘 연구 (2012.09 ~ 2013.08) 플라즈마 CVD로 양질의 그래핀을 성장하였고, 플라즈마 파워를 변경하여 그레인의 크기를 조절하는 기술 확보.
- (1) ICP-CVD에서 그래핀 성장조건 최적화
- (2) 플라즈마 파워에 따른 메탄의 분해율과 그에 따른 성장 메커니즘 연구
- (3) 그래핀의 그레인 크기 조절 및 그에 따른 그래핀의 특성 변화 연구
2차년도: 이중층 그래핀성장 및 이종접합 연구 (2013.09 ~ 2014.05)
합금을
Result
1st year : Plasma-assisted CVD growth of high quality graphene on metal catalyst. By simply changing plasma powers, the grain size of graphen can be tuned accordingly.
- (1) High qualty graphene growth by plasma enhanced CVD.
- (2) Growth mechanism study of plasma assisted grpahene g
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