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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경희대학교 Kyung Hee University |
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보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2014-09 |
과제시작연도 | 2013 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO201400028711 |
과제고유번호 | 9991001384 |
사업명 | 일반연구자지원(교육부) |
DB 구축일자 | 2014-11-22 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201400028711 |
1. 파이얼스 왜곡 물질 열전성능 최적화
(1) In4Se3-xH0.03 (H = Cl, Br, I, F) 열전물성 연구
할로겐을 도핑한 In4Se3-x 화합물에서 전류밀도와 mobility가 동시에 높아짐에 따라 전기전도도 향상에 따른 열전물성 향상을 보고하였다. Cl, Br, I을 도핑하면 Se자리에 치환됨에 따라 전자도핑 효과가 있지만 플루오르 F는 원자의 크기가 작아 Se자리에 치환하기 보다는 interstitial에
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