초록 ▼

Ⅳ. 연구결과
본 연구과제의 1차년도 주요 연구결과는 다음과 같다
1. 차세대 X-band 레이더 3D 모듈 설계 기술 개발
- Through Silicon Via (TSV) 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브러리 설계
- Through Silicon Via (TSV) 기반 레이더 3D 모듈 설계
- 레이더 3D 모듈의 송수신 격리도 해석 결과
- 레이더 3D 모듈 측정을 위한 테스트 베드 구축
- TSV 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브러리 제작
- TSV 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브

Ⅳ. 연구결과
본 연구과제의 1차년도 주요 연구결과는 다음과 같다
1. 차세대 X-band 레이더 3D 모듈 설계 기술 개발
- Through Silicon Via (TSV) 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브러리 설계
- Through Silicon Via (TSV) 기반 레이더 3D 모듈 설계
- 레이더 3D 모듈의 송수신 격리도 해석 결과
- 레이더 3D 모듈 측정을 위한 테스트 베드 구축
- TSV 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브러리 제작
- TSV 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브러리 측정 결과
- 레이더 3D 모듈용 공정 개발 결과
2. 0.25 um GaN 능동소자(GaN HEMT) 마스크 설계
- GaN HEMT 에피 구조 설계
- GaN HEMT 소자 구조 설계
- GaN HEMT 소자 제작 공정
- GaN HEMT on SiC 후면공정 기술 개발
- GaN HEMT 소자 측정
- 0.25 um GaN 능동소자(GaN HEMT) 모델링 및 설계변수 추출
- 0.25 um GaN 기반 수동소자 라이브러리 개발
3. 두께 1.5 mm 평판형 방열소자 기술 개발
- 모세관력 극대화를 위한 모세관구조 및 형상 설계
- 다 채널 reservoir 내 작동유체 동시 충전기술 개발
4. 고열전도성 소재 개발
- 고분자 수지의 열반응 특성
- 고분자 수지의 열반응 특성 및 열전도도 측정 결과
- 재료연구소에서 제작한 솔더를 적용한 HCP 소재 특성 평가
- 서울과기대에서 제작한 Ag coated Cu를 적용한 HCP 소재 특성 평가 결과
- 위탁과제명: 고열전도성 접착 페이스트용 저융점 솔더 입자 제조 기술
- 위탁과제명: 고열전도성 접착 페이스트용 은도금 구리 나노 입자 제조기술
- 위탁과제명: 플럭싱 언더필 소재를 이용한 인터포저 플립칩 본딩 기술
5. 타일형태 송수신 모듈의 배열 방안 기본 설계
- 송수신 모듈의 배열 적용 가능성 및 성능 검토
- 삼각 배열과 사각 배열 구조에 대한 구조 검토 및 기본 설계 진행

Abstract ▼

Ⅳ. RESULTS
The results of the first year of this study are listed below:
1 Development of design technology for next-generation X-band radar 3D module
- Design of silicon interposer 3D library based on through silicon via (TSV)
- Design of radar 3D module based on through silicon via (TS

Ⅳ. RESULTS
The results of the first year of this study are listed below:
1 Development of design technology for next-generation X-band radar 3D module
- Design of silicon interposer 3D library based on through silicon via (TSV)
- Design of radar 3D module based on through silicon via (TSV)
- Simulation results of isolation performance between transmitter and receiver of radar 3D module
- Establishment of test bed for measurement of radar 3D module
- Fabrication of silicon interposer 3D library based on through silicon via (TSV)
- Measured results of silicon interposer 3D library based on through silicon via (TSV)
- Results of process developments of radar 3D module.
2. Mask design of 0.25 um GaN active device (GaN HEMT)
- Design of GaN HEMT epi structure
- Design of GaN HEMT device structure
- Fabrication of GaN HEMT device
- Development of backside process of GaN HEMT on SiC
- Measured Resutls of GaN HEMT device
- Modeling and parameter extraction of 0.25 um GaN active device (GaN HEMT)
- Library development of passive devices based on 0.25 um GaN
3. Development of technology for 1.5 mm-thick flat heat-dissapating component
- Design of capillary structure and morphology for maimal capillary force
- Development of simulataneous filling of operating fluid in multi-channel reservoir
4. Development of high thermal conductive material
- Thermal reaction characteristics of polymer resins
- Measured results of thermal reaction characteristics of polymer resins and their theral conductivity
- Evaluations of HCP material characteristics based on solder fabricated by Korea Institute of Materails Science
- Evaluations of HCP material characteristics based on Ag coated Cu fabricated by Seoul National University of Science and Technology
- Commisioned project: Fabrication of low melting point solder powder for high thermal conductive adhesive paste
- Commisioned project: Fabrcation of Ag-coated nano Cu powder for high thermal conductive adhesive paste
- Commisioned project: Flip bonding technology of interposers using fluxing underfill
5. Basic design of radar array
- Feasibility and adaptation of radar module array
- Characteristics and basic design of triangular and squre array of radar

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 인사말씀 ... 3
• 제출문 ... 5
• 요약문 ... 8
• ABSTRACT ... 13
• CONTENTS ... 18
• 목차 ... 21
• 표목차 ... 24
• 그림목차 ... 25
• 제 1 장 서 론 ... 34
• 제 1 절 연구의 필요성 ... 36
• 제 2 절 연구의 목적 ... 37
• 제 2 장 차세대 X-band 레이더 3D 모듈 설계 기술 개발 ... 39
• 제 1 절 Through Silicon Via (TSV) 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브러리 설계 ... 41
• 제 2 절 Through Silicon Via (TSV) 기반 레이더 3D 모듈 설계 ... 48
• 제 3 절 레이더 3D 모듈의 송수신 격리도 해석 결과 ... 55
• 제 4 절 레이더 3D 모듈 측정을 위한 테스트 베드 구축 ... 56
• 제 5 절 TSV 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브러리 제작 ... 57
• 제 6 절 TSV 기반 실리콘 인터포저 3D 라이브러리 측정 결과 ... 64
• 제 7 절 레이더 3D 모듈용 공정 개발 결과 ... 69
• 제 3 장 0.25 um GaN 능동소자 (GaN HEMT) 마스크 설계 ... 73
• 제 1 절 GaN HEMT 에피 구조 설계 ... 75
• 제 2 절 GaN HEMT 소자 구조 설계 ... 76
• 제 3 절 GaN HEMT 소자 제작 공정 ... 79
• 제 4 절 GaN HEMT on SiC 후면공정 기술 개발 ... 83
• 제 5 절 GaN HEMT 소자 측정 ... 90
• 제 6 절 0.25㎛ GaN 능동소자(GaN HEMT) 모델링 및 설계변수 추출 ... 92
• 제 7 절 0.25 μm GaN 기반 수동소자 라이브러리 개발 ... 110
• 제 4 장 두께 1.5 mm 평판형 방열소자 기술 개발 ... 118
• 제 1 절 모세관력 극대화를 위한 모세관구조 및 형상 설계 ... 120
• 제 2 절 다 채널 reservoir 내 작동유체 동시 충전기술 개발 ... 133
• 제 5 장 고열전도성 소재 개발 ... 136
• 제 1 절 고분자 수지의 열반응 특성 ... 138
• 제 2 절 고분자 수지의 열반응 특성 및 열전도도 측정 결과 ... 140
• 제 3 절 재료연구소에서 제작한 솔더를 적용한 HCP 소재 특성 평가 ... 141
• 제 4 절 서울과기대에서 제작한 Ag coated Cu를 적용한 HCP 소재 특성 평가 결과 ... 145
• 제 5 절 위탁과제명: 고열전도성 접착 페이스트용 저융점 솔더 입자 제조 기술 ... 148
• 제 6 절 위탁과제명: 고열전도성 접착 페이스트용 은도금 구리 나노 입자 제조 기술 ... 158
• 제 7 절 위탁과제명: 플럭싱 언더필 소재를 이용한 인터포저 플립칩 본딩 기술 ... 162
• 제 6 장 타일형태 송수신 모듈의 배열 방안 기본 설계 ... 169
• 제 1 절 송수신 모듈의 배열 적용 가능성 및 성능 검토 ... 171
• 제 2 절 삼각 배열과 사각 배열 구조에 대한 구조 검토 및 기본 설계 진행 ... 172
• 제 7 장 결 론 ... 174
• 약어표 ... 178
• 기술문서 구성표 ... 179
• 끝페이지 ... 186